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fga25n120antd rev. b
fga25n120antd 1200v npt trench igbt
8月 2005
FGA25N120ANTD
1200v npt trench igbt
特性
• npt trench 技术, 积极的 温度 系数
• 低 饱和 电压: v
ce(sat), 典型值
= 2.0v
@ i
C
= 25a 和 t
C
= 25
°
C
• 低 切换 丧失: e
止, 典型值
= 0.96mj
@ i
C
= 25a 和 t
C
= 25
°
C
• 极其 增强 avalanche 能力
描述
使用 仙童's 专卖的 trench 设计 和 先进的 npt
技术, 这 1200v npt igbt 提供 更好的 传导
和 切换 performances, 高 avalanche 强壮 和
容易 并行的 运作.
这个 设备 是 好 suited 为 这 resonant 或者 软 切换
应用 此类 作 入门 加热, 微波 oven, 等
绝对 最大 比率
热的 特性
G
C
E
G
C
E
G
C
E
至-3p
标识 描述 FGA25N120ANTD 单位
V
CES
集电级-发射级 电压 1200 V
V
GES
门-发射级 电压
±
20 V
I
C
集电级 电流 @ t
C
= 25
°
C50 一个
集电级 电流 @ t
C
= 100
°
C25 一个
I
CM
搏动 集电级 电流
(便条 1)
75 一个
I
F
二极管 持续的 向前 电流 @ t
C
= 100
°
C25 一个
I
FM
二极管 最大 向前 电流 150 一个
P
D
最大 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C 312 W
最大 电源 消耗 @ t
C
= 100
°
C 125 W
T
J
运行 接合面 温度 -55 至 +150
°
C
T
stg
存储 温度 范围 -55 至 +150
°
C
T
L
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/8” 从 情况 为 5 秒
300
°
C
标识 参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 为 igbt -- 0.4
°
C
/
W
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 为 二极管 -- 2.0
°
C
/
W
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 -- 40
°
C
/
W
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