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资料编号:1054616
 
资料名称:IRFL110TR
 
文件大小: 215.7K
   
说明
 
介绍:
100V Single N-channel HexFET Power MOSFET in a SOT-223 Package
 
 


: 点此下载
 
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
参数 最大值 单位
d
@ tc = 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10 v 1.5
d
@ tc = 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10 v 0.96
dm
脉冲 排水管 电流
12
p
d
@tc = 25°c 电源 耗散 3.1
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散 (pcb 安装)** 2.0 w
线性 降额 因素 0.025
线性 降额 因素 (pcb 安装)** 0.017
w/°c
v
gs
单独 脉冲 雪崩 能源
150 mJ
ar
雪崩 电流
1.5 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
0.31 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
5.5 v/ns
t
j,
t
stg
接合点 和 存储 温度 范围 -55 至 + 150
IRFL110
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 90861a
s
d
g
v
DSS
= 100v
ds(开启)
= 0.54
d
= 1.5a
第三 世代 hexfets 从 国际 整流器
提供 这 设计师 与 这 最好 组合 的 快
开关, 加固 设备 设计, 低 导通电阻
和 成本-有效性.
这 sot-223 包装 是 设计 用于 表面贴装 使用
蒸气 相位, infra 红色, 或 波浪 焊接 技术. 其
独一无二 包装 设计 允许 用于 容易 自动 拾取-和-
地点 作为 与 其他 sot 或 soic 软件包 但是 有 这
已添加 优势 的 改进 热 业绩 到期 至
一个 放大型 选项卡 用于 散热器. 电源 耗散 的
grreater 比 1.25w 是 可能 入点 一个 典型 表面 安装
应用程序.
1/28/99
描述
表面 安装
可用 入点 胶带 &放大器; 卷轴
动态 设计验证/dt 评级
重复性 雪崩 额定
快 开关
轻松 的 平行
简单 驱动器 要求
sot-223
** 当 已安装 开启 1'' 方块字 pcb (右前-4 或 g-10 材料).
用于 推荐 占地面积 和 焊接 技术 参考 至 应用程序 备注 #an-994.
参数 典型值 最大值 单位
θ
jc
接合点-至-pcb ––– 40
θ
ja
接合点-至-环境. (pcb 安装)** ––– 60
热 电阻
°c/w
绝对 最大值 额定值
一个
www.irf.com 1
soldewring 温度, 用于 10 秒
300 (1.6mm 从 案例)
°C
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