特点
电源 耗散
p
厘米
: 0.625 w
（
Tamb=25
℃）
收集器 电流
我
厘米
: 0.5 一个
收集器-底座 电压
v
(br)cbo
: 40 v
电气 特性
（
（（
（
Tamb=25
℃
℃℃
℃
除非 否则 指定
）
））
）
参数
符号 测试一下 条件 最小 典型值 最大值 单位
收集器-底座 击穿 电压
v(br)
CBO
集成电路= 100
μ
一个
, 我
e?
=0
40 v
集电极-发射极 击穿 电压
v(br)
CEO
集成电路= 0.1 ma
，
我
B
=0 25 v
发射器-底座 击穿 电压
v(br)
EBO
我
e?
= 100
μ
一个
，
我
c
=0
5 v
收集器 截止 电流
我
CBO
v
cb
= 40 v , 我
e?
=0 0.1
μ
一个
收集器 截止 电流
我
CEO
v
ce
= 20 v , 我
B
=0 0.2
μ
一个
发射器 截止 电流
我
e?Bo
v
eb
=
3
v
，
我
c
=0
0.1
μ
一个
h
铁
（
1
）
v
ce
= 1 v, 我
c
= 50ma 85 300
直流 电流 增益(备注)
h
铁
（
2
）
v
ce
= 1 v, 我
c
= 500ma 50
集电极-发射极 饱和度 电压
v
ce
(sat) 我
c
= 500ma, 我
B
= 50 ma 0.6 v
基极-发射极 饱和度 电压
v
是
(sat) 我
c
= 500ma, 我
B
= 50 ma 1.2 v
基极-发射极 电压
v
是
我
e?
= 100ma 1.4 v
过渡 频率
f
t
v
ce
= 6 v, 我
c
= 20ma
f =
30MHz
150 MHz
分类 的 h
铁(1)
等级
bcd
范围
85-160 120-200 160-300
机翼 shing 计算机 组件 一氧化碳., (h.k.)有限公司. 电话:(852)2341 9276 传真:(852)27978153
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至-92
1. 发射器
2. 底座
3. 收集器
晶体管 (pnp)
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S8550
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