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特性
accepts 标准 32k x 8 或者 128k x 8
cmos 静态的 rams
embedded lithium 活力 cell retains 内存
数据
自-包含 电路系统 保护措施 数据
数据 保持 时间 是 更好 比 10 年
和 这 恰当的 内存 选择
ic 插座 准许 upgrading 从 32k x 8 至
128k x 8 内存
proven gas-tight 插座 联系
运行 温度 范围 0°c 至 70°c
管脚 分派
管脚 描述
CE
- conditioned 碎片 使能
V
CC
- 切换 v
CC
地 - 地面
所有 管脚 通过 通过 除了 22, 30 和 32.
描述
这 ds1213d smartsocket 是 一个 32-管脚, 600 mil 插件 插座 和 一个 建造-在 cmos 控制 电路 和
一个 embedded lithium 活力 源. 它 accepts 32k x 8 或者 128k x 8 电子元件工业联合会 bytewide cmos 静态的
内存. 当 这 插座 是 mated 和 一个 cmos 内存, 它 提供 一个 完全 解决方案 至 问题
有关联的 和 记忆 volatility. 这 smartsocket monitors 新当选的 v
CC
为 一个 输出-的-容忍
情况. 当 此类 一个 情况 occurs, 一个 内部的 lithium 活力 源 是 automatically 切换 在
和 写 保护 是 unconditionally 使能 至 阻止 数据 corruption. 使用 这 smartsocket saves
打印 电路 板 空间 自从 这 sram/smartsocket 结合体 occupies 非 更多 范围 比 这
sram alone. 这 smartsocket 使用 仅有的 管脚 22, 30 和 32 为 内存 控制. 所有 其它 管脚 是 passed
笔直地 通过.
看 这 ds1213b smartsocket 数据 薄板 为 技术的 详细信息.
看 达拉斯市 半导体 应用 便条 4 为 修改 说明 至 准许 使用 的 512k x8
内存 和 这个 部分.
DS1213D
smartsocket 256k/1m
www.dalsemi.com
30 v
CC
32-管脚 intelligent 插座
3
1
2
7
9
8
6
4
5
10
12
11
13
32
V
CC
31
26
24
25
27
29
28
23
21
22 ce
20
19
14
15
16
18
17
地
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