mos 地方 效应 晶体管
描述
这 2sk2485 是 n-频道 mos 地方 效应 晶体管 设计
为 高 电压 切换 产品.
特性
•
低 在-阻抗
R
ds (在)
= 2.8
Ω
(v
GS
= 10 v, i
D
= 3.0 一个)
•
低 c
iss
C
iss
= 1 200 pf 典型值
•
高 avalanche 能力 比率
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25 ˚c)
流 至 源 电压 V
DSS
900 V
门 至 源 电压 V
GSS
±
30 V
流 电流 (直流) I
d (直流)
±
6.0 一个
流 电流 (脉冲波)
*
I
d (脉冲波)
±
12 一个
总的 电源 消耗 (t
c
= 25 ˚c) P
T1
100 W
总的 电源 消耗 (t
一个
= 25 ˚c) P
T2
3.0 W
频道 温度 T
ch
150 ˚C
存储 温度 T
stg
–55 至 +150 ˚C
单独的 avalanche 电流
**
I
作
6.0 一个
单独的 avalanche 活力
**
E
作
42.3 mJ
*
PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1 %
**
开始 t
ch
= 25 ˚c, r
G
= 25
Ω
, v
GS
= 20 v
→
0
2SK2485
切换
n-频道 电源 mos 场效应晶体管
工业的 使用
文档 非. d10279ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 8月 1995 p
打印 在 日本
包装 维度
(在 millimeter)
1.0±0.2
123
1. 门
2. 流
3. 源
4. fin (流)
mp-88
4
15.7 最大值
3.2±0.2
2.8±0.10.6±0.12.2±0.2
5.45 5.45
4.7 最大值
1.5
1.06.0
7.0
19 最小值 20.0±0.2
3.0±0.2
4.5±0.2
身体
二极管
源
流
门
©
1995
数据 薄板