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©
1998,1999
mos 地方 效应 晶体管
2SK3061
切换
n-频道 电源 mos 场效应晶体管
工业的 使用
数据 薄板
文档 非. d13100ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 march 1999 ns cp(k)
打印 在 日本
描述
这个 产品 是 n-频道 mos 地方 效应 晶体管
设计 为 高 电流 切换 应用.
特性
•
低 在-状态 阻抗
R
ds(在)1
= 8.5 m
Ω
最大值 (v
GS
= 10
v, i
D
= 35
一个)
R
ds(在)2
= 12 m
Ω
最大值 (v
GS
= 4.0
v, i
D
= 35
一个)
•
低 c
iss
: c
iss
= 5200
pf 典型值
•
建造-在 门 保护 二极管
•
分开的 至-220 包装
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25°c)
流 至 源 电压 V
DSS
60 V
门 至 源 电压 V
gss(交流)
±
20 V
门 至 源 电压 V
gss(直流)
+20, –10 V
流 电流 (直流) I
d(直流)
±
70 一个
流 电流 (脉冲波)
Note1
I
d(脉冲波)
±
280 一个
总的 电源 消耗 (t
C
= 25°c) P
T
35 W
总的 电源 消耗 (t
一个
= 25°c) P
T
2.0 W
频道 温度 T
ch
150 °C
存储 温度 T
stg
–55 至 +150 °C
单独的 avalanche 电流
Note2
I
作
35 一个
单独的 avalanche 活力
Note2
E
作
122.5 mJ
注释 1.
PW
≤
10
µ
s, 职责 循环
≤
1 %
2.
开始 t
ch
= 25
°c, r
G
= 25
Ω
, v
GS
= 20
V
→
0 v
热的 阻抗
频道 至 情况 R
th(ch-c)
3.57 °c/w
频道 至 包围的 R
th(ch-一个)
62.5 °c/w
订货 信息
部分 号码 包装
2SK3061 分开的 至-220
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