ds05-11046-1e
富士通 半导体
数据s他et
记忆
CMOS
4
×
4 m
×
4 有点
同步 动态 ram
mb81f64442c-102/-103/-102l/-103l
cmos 4-银行
×
4,194,304-字
×
4 有点
同步 动态 随机 访问权限 记忆
■
描述
这 富士通 mb81f64442c 是 一个 cmos 同步 动态 随机 访问权限 记忆 (sdram) 包含
67,108,864 记忆 细胞 无障碍 入点 一个 4-有点 格式. 这 mb81f64442c 特点 一个 完全 同步 操作
引用 至 一个 正 边缘 时钟 由此 全部 运营 是 已同步 在 一个 时钟 输入 哪个 启用 高
业绩 和 简单 用户 接口 coexistence. 这 mb81f64442c sdram 是 设计 至 减少 这
复杂性 的 使用 一个 标准 动态 ram (dram) 哪个 需要 许多 控制 信号 计时 约束条件, 和
将 改善 数据 带宽 的 记忆 作为 很多 作为 5 次 更多 比 一个 标准 dram.
这 mb81f64442c 是 理想情况下 适合 用于 workstations, 个人 计算机, 激光 打印机, 高 分辨率 图形
适配器/accelerators 和 其他 应用程序 在哪里 一个 极其 大型 记忆 和 带宽 是 必填项 和
在哪里 一个 简单 接口 是 需要.
■
产品 线 &放大器; 特点
参数
MB81F64442C
-102 -102l -103 -103l
cl - t
刚果民盟 -
t
rp
2 - 2 - 2 clk 最小值 3 - 2 - 2 clk 最小值
时钟 频率 100 mhz 最大值 100 mhz 最大值
突发 模式 循环 时间 10 ns 最小值 10 ns 最小值
访问权限 时间 从 时钟 (cl = 3) 6 ns 最大值 6 ns 最大值
操作 电流 (2 银行 活动) 105 ma 最大值 105 ma 最大值
电源 向下 模式 电流 (我
CC2P
) 2 ma 最大值 1 ma 最大值 2 ma 最大值 1 ma 最大值
自我 刷新 电流 (我
CC6
) 1 ma 最大值 500
µ
一个 最大值 1 ma 最大值 500
µ
一个 最大值
• 单独 +3.3 v 供应 ±0.3 v 公差
•lvttl 兼容 我/o
• 4 k 刷新 循环次数 每 65.6 ms
• 四 银行 操作
• 突发 阅读/写 操作 和 突发
阅读/单独 写 操作 能力
• 标准 和 低 电源 版本
• 可编程 突发 类型, 突发 长度, 和
cas 延迟
• 自动-和 自刷新 (每 16
µ
s)
• cke 电源 向下 模式
• 输出 启用 和 输入 数据 面具
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