©2002 仙童 半导体 公司
六月 2002
isl9n308ad3 / isl9n308ad3st rev c
isl9n308ad3 / isl9n308ad3st
isl9n308ad3 / isl9n308ad3st
n-频道 逻辑 水平的 ultrafet
®
trench 电源 mosfets
30v, 50a, 8m
Ω
一般 描述
这个 设备 雇用 一个 新 先进的 trench 场效应晶体管
技术 和 特性 低 门 承担 当 维持
低 在-阻抗.
优化 为 切换 产品, 这个 设备 改进
这 整体的 效率 的 直流/直流 转换器 和 准许
运作 至 高等级的 切换 发生率.
产品
• 直流/直流 转换器
特性
• 快 切换
•r
ds(在)
= 0.0064
Ω
(典型值), v
GS
= 10v
•r
ds(在)
= 0.010
Ω
(典型值), v
GS
= 4.5v
•Q
g
(典型值) = 24nc, v
GS
= 5v
•Q
gd
(典型值) = 8nc
•C
ISS
(典型值) = 2600pf
场效应晶体管 最大 比率
T
C
= 25°c 除非 否则 指出
热的 特性
包装 标记 和 订货 信息
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流 至 源 电压 30 V
V
GS
门 至 源 电压
±
20 V
I
D
流 电流
50 一个
持续的 (t
C
= 25
o
c, v
GS
= 10v) 便条 1
持续的 (t
C
= 100
o
c, v
GS
= 4.5v) 便条 1 48 一个
持续的 (t
C
= 25
o
c, v
GS
= 10v, r
θ
JC
= 52
o
c/w) 14 一个
搏动 图示 4 一个
P
D
电源 消耗
减额 在之上 25
o
C
100
0.67
W
w/
o
C
T
J
, t
STG
运行 和 存储 温度 -55 至 175
o
C
R
θ
JC
热的 阻抗 接合面 至 情况 至-252, 至-251 1.5
o
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的 至-252, 至-251 100
o
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的 至-252, 1in
2
铜 垫子 范围 52
o
c/w
设备 标记 设备 包装 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
N308AD ISL9N308AD3ST 至-252aa 330mm 16mm 2500 单位
N308AD ISL9N308AD3 至-251aa Tube n/一个 75 单位
D
G
S
pwm 优化
G
S
D
至-252
d-pak
(至-252)
G DS
i-pak
(至-251aa)