5–1
特性
• 电流 转移 比率 在 i
F
=10 毫安
il1, 20% 最小值
il2, 100% 最小值
il5, 50% 最小值
• 高 集电级-发射级 电压
il1 – bv
CEO
=50 v
il2, il5 – bv
CEO
=70 v
• 地方-效应 稳固的 用 transparent ion shield
(trios)
• 翻倍 模塑的 包装 提供 分开 测试
电压 5300 vac
RMS
• underwriters lab 文件 #e52744
• vde 承认 #0884
(有 和 选项 1)
描述
这 il1/2/5 是 optically 结合 分开的 pairs 雇用-
ing gaas infrared leds 和 硅 npn phototransistor.
信号 信息, 包含 一个 直流 水平的, 能 是 trans-
mitted 用 这 驱动 当 维持 一个 高 程度 的
电的 分开 在 输入 和 输出. 这 il1/2/5
是 特别 设计 为 驱动 中等-速 逻辑
和 能 是 使用 至 eliminate troublesome 地面 循环
和 噪音 问题. 这些 couplers 能 是 使用 也
至 替代 接转 和 transformers 在 许多 数字的 inter-
面向 产品 此类 作 crt 调制.
看 appnote 45, “how 至 使用 optocoupler normalized
曲线.”
V
DE
最大 比率
发射级
反转 电压.................................................................................. 6 v
向前 电流............................................................................. 60 毫安
surge 电流 .................................................................................. 2.5 一个
电源 消耗 ........................................................................ 100 mw
减额 成直线地 从 25
°
C .................................................... 1.33 mw/
°
C
探测器
集电级-发射级 反转 电压
IL1................................................................................................... 50 v
il2, il5............................................................................................. 70 v
发射级-根基 反转 电压 ............................................................. 7 v
集电级-根基 反转 电压 ........................................................ 70 v
集电级 电流 ............................................................................ 50 毫安
集电级 电流 (t<1 ms) ............................................................ 400 毫安
电源 消耗 ........................................................................ 200 mw
减额 成直线地 从 25
°
c ...................................................... 2.6 mw/
°
C
包装
包装 电源 消耗........................................................ 250 mw
减额 成直线地 从 25
°
c ...................................................... 3.3 mw/
°
C
分开 测试 电压 (在 发射级 和 探测器
涉及 至 标准 climate 23
°
c/50%rh, din 50014)5300 vac
RMS
Creepage..................................................................................最小值 7 mm
Clearance .................................................................................最小值 7 mm
comparative 追踪 index 每
din iec 112/vde 0303, 部分 1.........................................................175
分开 阻抗
V
IO
=500 v, t
一个
=25
°
C
.........................................................................≥
10
12
Ω
V
IO
=500 v, t
一个
=100
°
C
.......................................................................≥
10
11
Ω
存储 温度 .................................................... –40
°
c 至 +150
°
C
运行 温度................................................. –40
°
c 至 +100
°
C
接合面 温度 ..................................................................... 100
°
C
焊接 温度 (2 mm 从 情况 bottom).......................... 260
°
C
维度 在 英寸 (mm)
.010 (.25)
.014 (.35)
.110 (2.79
)
.150 (3.81)
.130 (3.30)
.150 (3.81)
.020 (.051) 最小值
.300 (7.62)
典型值
.031 (0.80)
.035 (0.90)
.100 (2.54) 典型值
.039
(1.00)
最小值
.018 (0.45)
.022 (0.55)
.248 (6.30)
.256 (6.50)
.335 (8.50)
.343 (8.70)
管脚 一个 id
6
5
4
12
3
18
°
典型值
.300 (7.62)
.347 (8.82)
4
°
典型值
1
2
3
6
5
4
根基
集电级
发射级
Anode
Cathode
NC
il1/2/5
PHOTOTRANSISTOR
OPTOCOUPLER
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