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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
放大器 晶体管
pnp 硅
最大 比率
比率 标识 2N5400 2N5401 单位
集电级– 发射级 电压 V
CEO
120 150 Vdc
集电级– 根基 电压 V
CBO
130 160 Vdc
发射级– 根基 电压 V
EBO
5.0 Vdc
集电级 电流 — 持续的 I
C
600 mAdc
总的 设备 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
625
5.0
mW
mw/
°
C
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
1.5
12
Watts
mw/
°
C
运行 和 存储 接合面
温度 范围
T
J
, t
stg
– 55 至 +150
°
C
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
q
JA
200
°
c/w
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
q
JC
83.3
°
c/w
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
集电级– 发射级 损坏 电压
(1)
(i
C
= 1.0 madc, i
B
= 0) 2N5400
2N5401
V
(br)ceo
120
150
—
—
Vdc
集电级– 根基 损坏 电压
(i
C
= 100
m
模数转换器, i
E
= 0) 2N5400
2N5401
V
(br)cbo
130
160
—
—
Vdc
发射级– 根基 损坏 电压
(i
E
= 10
m
模数转换器, i
C
= 0)
V
(br)ebo
5.0 — Vdc
集电级 截止 电流
(v
CB
= 100 vdc, i
E
= 0) 2N5400
(v
CB
= 120 vdc, i
E
= 0) 2N5401
(v
CB
= 100 vdc, i
E
= 0, t
一个
= 100
°
c) 2N5400
(v
CB
= 120 vdc, i
E
= 0, t
一个
= 100
°
c) 2N5401
I
CBO
—
—
—
—
100
50
100
50
nAdc
µ
模数转换器
发射级 截止 电流
(v
EB
= 3.0 vdc, i
C
= 0)
I
EBO
— 50 nAdc
1. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 = 300
m
s, 职责 循环 = 2.0%.
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
顺序 这个 文档
用 2n5400/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
2N5400
2N5401
*motorola preferred 设备
*
情况 29–04, 样式 1
to–92 (to–226aa)
1
2
3
motorola, 公司 1996
集电级
3
2
根基
1
发射级
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