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摩托罗拉 small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
放大器 晶体管
npn 硅
最大值 额定值
评级 符号 2N5550 2N5551 单位
收集器– 发射器 电压 v
CEO
140 160 Vdc
收集器– 底座 电压 v
CBO
160 180 Vdc
发射器– 底座 电压 v
EBO
6.0 Vdc
收集器 电流 — 连续 我
c
600 mAdc
合计 设备 耗散 @ t
一个
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
625
5.0
mW
mw/
°
c
合计 设备 耗散 @ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
1.5
12
瓦特
mw/
°
c
操作 和 存储 接合点
温度 范围
t
j
, t
stg
– 55 至 +150
°
c
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点 至 环境 右
q
ja
200
°
c/w
热 电阻, 接合点 至 案例 右
q
jc
83.3
°
c/w
电气 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 已注明)
特性
符号 最小 最大值 单位
关 特性
收集器– 发射器 击穿 电压
(1)
(我
c
= 1.0 madc, 我
B
= 0) 2N5550
2N5551
v
(br)ceo
140
160
—
—
Vdc
收集器– 底座 击穿 电压
(我
c
= 100
µ
adc, 我
e?
= 0 ) 2N5550
2N5551
v
(br)cbo
160
180
—
—
Vdc
发射器– 底座 击穿 电压
(我
e?
= 10
µ
adc, 我
c
= 0)
v
(br)ebo
6.0 — Vdc
收集器 截止 电流
(v
cb
= 100 vdc, 我
e?
= 0) 2N5550
(v
cb
= 120 vdc, 我
e?
= 0) 2N5551
(v
cb
= 100 vdc, 我
e?
= 0, t
一个
= 100
°
c) 2N5550
(v
cb
= 120 vdc, 我
e?
= 0, t
一个
= 100
°
c) 2N5551
我
CBO
—
—
—
—
100
50
100
50
nAdc
µ
adc
发射器 截止 电流
(v
eb
= 4.0 vdc, 我
c
= 0)
我
EBO
— 50 nAdc
1. 脉冲 测试一下: 脉冲 宽度 = 300
m
s, 职责 循环 = 2.0%.
首选
设备 是 摩托罗拉 推荐 选择 用于 未来 使用 和 最好 总体 值.
订单 这个 文件
由 2n5550/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
2N5550
2N5551
*motorola 首选 设备
*
案例 29–04, 风格 1
to–92 (to–226aa)
1
2
3
摩托罗拉, 公司 1996
收集器
3
2
底座
1
发射器
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