1整流器 设备 数据
设计者's
数据 薄板
肖特基 电源 整流器
表面 挂载 电源 包装
肖特基 电源 整流器 雇用 这 使用 的 这 肖特基 屏障 principle 在
一个 大 范围 metal-至-硅 电源 二极管. 状态-的-这-艺术 geometry 特性
外延的 构建 和 oxide passivation 和 metal overlay 联系. ideally
suited 为 低 电压, 高 频率 整流, 或者 作 自由 转动 和
极性 保护 二极管, 在 表面 挂载 产品 在哪里 紧凑的 大小
和 重量 是 核心的 至 这 系统. 这些 状态-的-这-艺术 设备 有 这
下列的 特性:
•
小 紧凑的 表面 mountable 包装 和 j-bend leads
•
rectangular 包装 为 automated 处理
•
高级地 稳固的 oxide 钝化的 接合面
•
高 blocking 电压 — 100 伏特
•
150
°
c 运行 接合面 温度
•
保护环 为 压力 保护
机械的 特性
•
情况: 环氧的, 模塑的
•
重量: 95 mg (大概)
•
完成: 所有 外部 surfaces corrosion resistant 和 终端 leads 是
readily solderable
•
含铅的 和 挂载 表面 温度 为 焊接 目的: 260
°
C
最大值 为 10 秒
•
运输 在 12 mm 录音带 和 卷轴, 2500 单位 每 卷轴
•
极性: notch 在 塑料 身体 indicates cathode 含铅的
•
markings; mbrs190t3: b19
markings;mbrs1100t3: b1c
最大 比率
比率 标识 MBRS190T3 MBRS1100T3 单位
顶峰 repetitive 反转 电压
working 顶峰 反转 电压
直流 blocking 电压
V
RRM
V
RWM
V
R
90 100
伏特
平均 调整的 向前 电流 T
L
= 120
°
C
T
L
= 100
°
C
I
f(av)
1.0
2.0
放大器
nonrepetitive 顶峰 surge 电流
(surge 应用 在 评估 加载 情况 halfwave, 单独的 阶段, 60 hz)
I
FSM
50 放大器
运行 接合面 温度 T
J
– 65 至 +150
°
C
电压 比率 的 改变 dv/dt 10 v/ns
热的 特性
热的 阻抗 — 接合面 至 含铅的 (t
L
= 25
°
c) R
θ
JL
22
°
c/w
电的 特性
最大 instantaneous 向前 电压 (1)
(i
F
= 1.0 一个, t
J
= 25
°
c)
V
F
0.75 伏特
最大 instantaneous 反转 电流 (1)
(评估 直流 电压, t
J
= 25
°
c)
(评估 直流 电压, t
J
= 100
°
c)
i
R
0.5
5.0
毫安
(1) 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 = 300
µ
s, 职责 循环
≤
2.0%.
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
设计者’s 数据 为 “worst case” 情况
— 这 设计者’s 数据 薄板 准许 这 设计 的 大多数 电路 全部地 从 这 信息 提交. soa 限制
曲线 — representing boundaries 在 设备 特性 — 是 给 至 facilitate “worst case” 设计.
motorola, 公司 1998
顺序 这个 文档
用 mbrs1100t3/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MBRS1100T3
MBRS190T3
肖特基 屏障
整流器
1.0 ampere
90, 100 伏特
情况 403a–03
SMB
motorola preferred 设备
rev 3
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