1
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
偏差 电阻 晶体管
npn 硅 表面 挂载 晶体管 和
大而单一的 偏差 电阻 网络
这个 新 序列 的 数字的 晶体管 是 设计 至 替代 一个 单独的 设备 和 它的
外部 电阻 偏差 网络. 这 brt (偏差 电阻 晶体管) 包含 一个 单独的
晶体管 和 一个 大而单一的 偏差 网络 consisting 的 二 电阻器; 一个 序列 根基
电阻 和 一个 根基-发射级 电阻. 这 brt 排除 这些 单独的 组件
用 integrating 它们 在 一个 单独的 设备. 这 使用 的 一个 brt 能 减少 两个都 系统
费用 和 板 空间. 这 设备 是 housed 在 这 sot-23 包装 这个 是
设计 为 低 电源 表面 挂载 产品.
•
使简化 电路 设计
•
减少 板 空间
•
减少 组件 计数
•
这 sot-23 包装 能 是 焊接 使用 波 或者
软熔焊接. 这 修改 gull-winged leads absorb 热的
压力 在 焊接 eliminating 这 possibility 的
损坏 至 这 消逝.
•
有 在 8 mm 压印浮凸 录音带 和 卷轴. 使用 这
设备 号码 至 顺序 这 7 inch/3000 单位 卷轴.
替代 “t1” 和 “t3” 在 这 设备 号码 至 顺序
the13 inch/10,000 单位 卷轴.
最大 比率
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
集电级-根基 电压 V
CBO
50 Vdc
集电级-发射级 电压 V
CEO
50 Vdc
集电级 电流 I
C
100 mAdc
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
(1)
减额 在之上 25
°
C
P
D
*200
1.6
mW
mw/
°
C
热的 特性
热的 阻抗 — 接合面-至-包围的 (表面 挂载) R
θ
JA
625
°
c/w
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
– 65 至 +150
°
C
最大 温度 为 焊接 目的,
时间 在 焊盘 bath
T
L
260
10
°
C
秒
设备 标记 和 电阻 值
设备 标记 r1 (k) r2 (k)
MMUN2211LT1
MMUN2212LT1
MMUN2213LT1
MMUN2214LT1
A8A
A8B
A8C
A8D
10
22
47
10
10
22
47
47
MMUN2214LT1
MMUN2215LT1
(2)
MMUN2216LT1
(2)
MMUN2230LT1
(2)
MMUN2231LT1
(2)
A8D
A8E
A8F
A8G
A8H
10
10
4.7
1
22
47
∞
∞
1
22MMUN2231LT1
(2)
MMUN2232LT1
(2)
MMUN2233LT1
(2)
MMUN2234LT1
(2)
A8H
A8J
A8K
A8L
2.2
4.7
4.7
22
2.2
4.7
47
47
1. 设备 挂载 在 一个 fr-4 glass 环氧的 打印 电路 板 使用 这 最小 推荐 footprint.
2. 新 设备. updated 曲线 至 follow 在 subsequent 数据 薄板.
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
(替代 mmun2211t1/d)
顺序 这个 文档
用 mmun2211lt1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
motorola, 公司 1996
npn 硅
偏差 电阻
晶体管
motorola preferred 设备
情况 318-08, 样式 6
sot-23 (至-236ab)
MMUN2211LT1
序列
1
2
3
管脚 3
集电级
(输出)
管脚 2
发射级
(地面)
管脚 1
根基
(输入)
R1
R2
: 点此下载
