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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
设计者's
数据 薄板
TMOS e-场效应晶体管.
高 活力 电源 场效应晶体管
n–channel enhancement–mode 硅 门
这个 先进的 高 电压 tmos e–fet 是 设计 至
承受 高 活力 在 这 avalanche 模式 和 转变 efficiently.
这个 新 高 活力 设备 也 提供 一个 drain–to–source 二极管
和 快 恢复 时间. 设计 为 高 电压, 高 速
切换 产品 此类 作 电源 供应, pwm 发动机
控制 和 其它 inductive 负载, 这 avalanche 活力 能力
是 指定 至 eliminate 这 guesswork 在 设计 在哪里 inductive
负载 是 切换 和 提供 额外的 安全 余裕 相反
unexpected 电压 过往旅客.
•
avalanche 活力 能力 指定 在 提升
温度
•
低 贮存 门 承担 为 效率高的 切换
•
内部的 source–to–drain 二极管 设计 至 替代 外部
齐纳 瞬时 suppressor — absorbs 高 活力 在 这
avalanche 模式
•
source–to–drain 二极管 恢复 时间 comparable 至 分离的
快 恢复 二极管
最大 比率
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率 标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
600 Vdc
drain–gate 电压 (r
GS
= 1.0 m
Ω
) V
DGR
600 Vdc
gate–source 电压 — 持续的
gate–source 电压— non–repetitive
V
GS
V
GSM
±
20
±
40
Vdc
Vpk
流 电流 — 持续的
流 电流— 持续的 @ 100
°
C
流 电流— 搏动
I
D
I
D
I
DM
3.0
2.4
14
模数转换器
总的 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
75
0.6
Watts
w/
°
C
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
– 55 至 150
°
C
unclamped drain–to–source avalanche 特性
(t
J
< 150
°
c)
单独的 脉冲波 drain–to–source avalanche 活力 — t
J
= 25
°
C
单独的 脉冲波 drain–to–source avalanche 活力— t
J
= 100
°
C
repetitive 脉冲波 drain–to–source avalanche 活力
W
dsr(1)
W
dsr(2)
290
46
7.5
mJ
热的 特性
热的 阻抗 — 接合面 至 情况
°
热的 阻抗— 接合面 至 包围的
°
R
θ
JC
R
θ
JA
1.67
62.5
°
c/w
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的, 1/8
″
从 情况 为 10 秒 T
L
260
°
C
(1) v
DD
= 50 v, i
D
= 3.0 一个
(2) 脉冲波 宽度 和 频率 是 限制 用 t
J
(最大值) 和 热的 回馈
设计者’s 数据 为 “worst case” 情况
— 这 设计者’s 数据 薄板 准许 这 设计 的 大多数 电路 全部地 从 这 信息 提交. soa 限制
曲线 — representing boundaries 在 设备 特性 — 是 给 至 facilitate “worst case” 设计.
e–fet 和 设计者’s 是 商标 的 motorola, 公司 tmos 是 一个 注册 商标 的 motorola, 公司
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
rev 2
顺序 这个 文档
用 mtp3n60e/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MTP3N60E
tmos 电源 场效应晶体管
3.0 amperes
600 伏特
R
ds(在)
= 2.2 ohms
D
S
G
情况 221a–09, 样式 5
至-220ab
motorola preferred 设备
motorola, 公司 1997
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