PIN3
集电级
(输出)
PIN1
发射级
(地面)
PIN2
根基
(输入)
R1
R2
1
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
偏差 电阻 晶体管
npn 硅 表面 挂载 晶体管 和
大而单一的 偏差 电阻 网络
这个新 序列 的 数字的 晶体管 是 设计 至 替代 一个 单独的 设备 和 它的
外部电阻 偏差 网络. 这 brt (偏差 电阻 transistor) 包含 一个 单独的
晶体管和 一个 大而单一的偏差 网络 consisting 的 二 电阻器; 一个 序列 根基
电阻和 一个 base–emitter 电阻. 这 brt 排除 这些 单独的 组件
用integrating 它们 在 一个 单独的 设备. 这 使用 的 一个 brt 能 减少 两个都 系统
费用和 板 空间. 这 设备 是 housed 在 这 sc–59 包装 这个 是 设计
为 低 电源 表面 挂载 产品.
•
使简化 电路 设计
•
减少 板 空间
•
减少 组件 计数
•
这 sc–59 包装 能 是 焊接 使用 波 或者 软熔焊接.
这 修改 gull–winged leads absorb 热的 压力 在
焊接 eliminating 这 possibility 的 损坏 至 这 消逝.
•
有 在 8 mm 压印浮凸 录音带 和 卷轴
使用 这 设备 号码 至 顺序 这 7 inch/3000 单位 卷轴.
最大 比率
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
collector–base 电压 V
CBO
50 Vdc
collector–emitter 电压 V
CEO
50 Vdc
集电级 电流 I
C
100 mAdc
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
C
(1)
减额 在之上 25
°
C
P
D
*200
1.6
mW
mw/
°
C
热的 特性
热的阻抗 — junction–to–ambient (表面 挂载) R
θ
JA
625
°
c/w
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
– 65 至 +150
°
C
最大 temperature 为 焊接 目的,
时间 在 焊盘 bath
T
L
260
10
°
C
秒
设备 标记 和 电阻 值
设备 标记 r1 (k) r2 (k)
MUN2211T1
MUN2212T1
MUN2213T1
MUN2214T1
MUN2215T1
(2)
8A
8B
8C
8D
8E
10
22
47
10
10
10
22
47
47
∞
MUN2216T1
(2)
MUN2230T1
(2)
MUN2231T1
(2)
MUN2232T1
(2)
MUN2233T1
(2)
MUN2234T1
(2)
8F
8G
8H
8J
8K
8L
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
∞
1.0
2.2
4.7
47
47
1. 设备 挂载 在 一个 fr–4 glass 环氧的 打印 电路 板 使用 这 最小 推荐 footprint.
2. 新 设备. updated 曲线 至 follow 在 subsequent 数据 薄板.
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
顺序 这个 文档
用 mun2211t1/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
npn 硅
偏差 电阻
晶体管
motorola preferred 设备
情况 318d–03, 样式 1
(sc–59)
MUN2211T1
SERIES
2
1
3
motorola, 公司 1996
rev 4
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