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应用
高 速 电源 切换
特性
• 低 on–resistance
• 高 速 切换
• 低 驱动 电流
• 4 v  门 驱动 设备 能 是 驱动 从
5 v  源
• 合适的 为 切换 调整器,  直流 – 直流
转换器
表格 1   绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
———————————————————————————————————————————
流 至 源 电压 V
DSS
120 V
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门 至 源 电压 V
GSS
±20 V
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流 电流 I
D
7A
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流 顶峰 电流 I
d(脉冲波)
*14 一个
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body–drain 二极管 反转 流 电流 I
DR
7A
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频道 消耗 Pch** 20 W
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频道 温度 Tch 150 °C
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存储 温度 Tstg –55 至 +150 °C
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*
PW
≤
10 µs,  职责 循环
≤
1 %
**
值 在 tc = 25 °c
1
2
3
1
2
3
至-220fm
1. 门
2. 流
3. 源
2SK2202
硅 n 频道 mos 场效应晶体管

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应用高速电源切换特性 • 低 on–resistance • 高速切换 • 低驱动电流 • 4 v 门驱动设备能是驱动从 5 v 源 • 合适的为切换调整器, 直流 – 直流转换器表格 1 绝对最大比率 (ta = 25°c) Item 标识比率单位 ——————————————————————————————————————————— 流至源电压 V DSS 120 V ——————————————————————————————————————————— 门至源电压 V GSS ±20 V ——————————————————————————————————————————— 流电流 I D 7A ——————————————————————————————————————————— 流顶峰电流 I d(脉冲波) 14 一个 ——————————————————————————————————————————— body–drain 二极管反转流电流 I DR 7A ——————————————————————————————————————————— 频道消耗 Pch* 20 W ——————————————————————————————————————————— 频道温度 Tch 150 °C ——————————————————————————————————————————— 存储温度 Tstg –55 至 +150 °C ——————————————————————————————————————————— * PW ≤ 10 µs, 职责循环 ≤ 1 % ** 值在 tc = 25 °c 1 2 3 1 2 3 至-220fm 1. 门 2. 流 3. 源 2SK2202 硅 n 频道 mos 场效应晶体管

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