630
晶体管
2SD1819A
硅 npn 外延的 planer 类型
为 一般 放大器
complementary 至 2sb1218a
■
特性
●
高 foward 电流 转移 比率 h
FE
.
●
低 集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
.
●
s-迷你 类型 包装, 准许 downsizing 的 这 设备 和
自动 嵌入 通过 这 录音带 包装 和 这 magazine
包装.
■
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
单位: mm
参数
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
顶峰 集电级 电流
集电级 电流
集电级 电源 消耗
接合面 温度
存储 温度
1:根基
2:发射级 eiaj:sc–70
3:集电级 smini3-g1 包装
2.1
±0.1
1.3
±0.1
0.3
+0.1
Ð0.0
2.0
±0.2
1.25
±0.10
(0.425)
1
3
2
(0.65)
(0.65)
0.2
±0.1
0.9
±0.1
0to0.1
0.9
+0.2
Ð0.1
0.15
+0.10
Ð0.05
5û
10û
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
比率
60
50
7
200
100
150
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
毫安
毫安
mW
˚C
˚C
■
电的 特性
(ta=25˚c)
参数
集电级 截止 电流
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
向前 电流 转移 比率
集电级 至 发射级 饱和 电压
转变 频率
集电级 输出 电容
标识
I
CBO
I
CEO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1
*
h
FE2
V
ce(sat)
f
T
C
ob
情况
V
CB
= 20v, i
E
= 0
V
CE
= 10v, i
B
= 0
I
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0
I
C
= 2ma, i
B
= 0
I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0
V
CE
= 10v, i
C
= 2ma
V
CE
= 2v, i
C
= 100ma
I
C
= 100ma, i
B
= 10ma
V
CB
= 10v, i
E
= –2ma, f = 200mhz
V
CB
= 10v, i
E
= 0, f = 1mhz
最小值
60
50
7
160
90
典型值
0.1
150
3.5
最大值
0.1
100
460
0.3
单位
µ
一个
µ
一个
V
V
V
V
MHz
pF
标记 标识 :
Z
*
h
FE1
分级 分类
分级 Q R S
h
FE1
160 ~ 260 210 ~ 340 290 ~ 460
标记 标识 ZQ ZR ZS
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