Transistor
s
2SC2206
硅 npn 外延的 计划
一个
r 类型
为 高-频率 放大器
complementary 至 2sa1254
■
特性
●
最佳的 为 rf 放大器 的 fm/am 收音机.
●
高 转变 频率 f
T
.
●
m 类型 包装 准许 容易 自动 和 手工的 嵌入 作
好 作 保卫-alone fixing 至 这 打印 电路 板.
■
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
单位: mm
参数
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
集电级 电流
集电级 电源 消耗
接合面 温度
存储 温度
1:根基
2:集电级
3:发射级 m-a1 包装
6.9
±0.1
2.5
±0.1
(1.0)
(1.0)
(1.5)
(0.85)
0.45
±0.05
0.55
±0.1
(2.5)(2.5)
213
R 0.7
R 0.9
(0.4)
3.5
±0.1
4.5
±0.1
4.1
±0.2
2.4
±0.2
1.25
±0.05
2.0
±0.2
1.0
±0.1
(1.5)
标识
V
CBO
V
CEO
C
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
比率
30
20
5
30
400
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
毫安
mW
˚C
˚C
■
电的 特性
(ta=25˚c)
参数
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
向前 电流 转移 比率
集电级 至 发射级 饱和 电压
根基 至 发射级 电压
转变 频率
噪音 图示
一般 发射级 反转 转移 电容
反转 转移 阻抗
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE
*
V
ce(sat)
V
是
f
T
NF
C
re
Z
rb
情况
I
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0
I
C
= 1ma, i
B
= 0
I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0
V
CB
= 10v, i
E
= –1ma
I
C
= 10ma, i
B
= 1ma
V
CE
= 10v, i
C
= 1ma
V
CB
= 10v, i
E
= –1ma, f = 200mhz
V
CB
= 10v, i
E
= –1ma, f = 5mhz
V
CE
= 10v, i
C
= 1ma, f = 10.7mhz
V
CB
= 10v, i
E
= –1ma, f = 2mhz
最小值
30
20
5
70
150
典型值
0.1
0.7
300
2.8
最大值
220
4
1.5
50
单位
V
V
V
V
V
MHz
dB
pF
Ω
*
h
FE
分级 分类
分级 B C
h
FE
70 ~ 140 110 ~ 220
1SJC00
111
AED
发行 日期: 8月 2002
: 点此下载
