硅 mos fets (小 信号)
单位: mm
1: 门
2: 流
3
: 源
minip3-f1 包装
4.5
±0.1
3.0
±0.15
45
°
2.6
±0.1
0.4 最大值
1.6
±0.2
1.5
±0.1
4.0
2.5
±0.1
3
°
+0.25
–
0.20
1.0
+0.1
–
0.2
0.5
±0.08
0.4
±0.04
0.4
±0.08
12
3
1.5
±0.1
3
°
2SK2211
硅 n-频道 mos 场效应晶体管
为 切换
■
特性
●
低 在-阻抗 r
ds(在)
●
高-速 切换
●
迷你-电源 类型 包装, 准许 downsizing 的 这 sets 和
自动 嵌入 通过 这 录音带/magazine 包装.
■
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
参数
流 至 源 损坏 电压
门 至 源 电压
流 电流
最大值 流 电流
容许的 电源 消耗
频道 温度
存储 温度
标识
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
*
T
ch
T
stg
比率
30
±20
1.0
2.0
1.0
150
−
55 至 +150
单位
V
V
一个
一个
W
°C
°C
■
电的 特性
(ta = 25°c)
参数
流 至 源 截-止 电流
门 至 源 泄漏 电流
流 至 源 损坏 电压
门 至 源 电压
门 门槛 电压
流 至 源 在-阻抗
向前 转移 admittance
输入 电容 (一般 源)
输出 电容 (一般 源)
反转 转移 电容 (一般 源)
转变-在 时间 (延迟 时间)
下降 时间
转变-止 时间 (延迟 时间)
标识
I
DSS
I
GSS
V
DSS
V
GSS
V
th
R
ds(在)1
*
1
R
ds(在)2
*
1
| y
fs
|
*
1
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(在)
t
f
t
d(止)
情况
V
DS
= 25v, v
GS
= 0
V
GS
= ±15v, v
DS
= 0
I
D
= 0.1ma, v
GS
= 0
I
GS
= 0.1ma, v
DS
= 0
V
DS
= 5v, i
D
= 1ma
V
GS
= 4v, i
D
= 0.5a
V
GS
= 10v, i
D
= 0.5a
V
DS
= 10v, i
D
= 0.5a
V
DS
= 10v, v
GS
= 0, f = 1mhz
V
GS
= 10v, i
D
= 0.5a
V
DD
= 10v, r
L
= 20
Ω
最小值
30
±20
0.8
0.5
典型值
0.48
0.35
87
69
23
12
160
60
单位
µ
一个
µ
一个
V
V
V
Ω
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
最大值
10
±10
2.0
0.75
0.60
*
1
脉冲波 度量
*
pc 板: 铜 foil 的 这 流 portion 应当 有 一个 范围 的 1cm
2
或者
更多 和 这 板 厚度 应当 是 1.7mm.
标记 标识: 2m
内部的 连接
G
D
S
1SJ
F
00
029A
ED
发行 日期: 8月 2002
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