1
晶体管
2SA1674
硅 pnp 外延的 planer 类型
为 低-频率 输出 放大器
complementary 至 2sc4391
■
特性
●
低 集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
.
●
高 集电级 至 发射级 电压 v
CEO
.
●
准许 供应 和 这 放射状的 taping.
■
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
单位: mm
参数
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
顶峰 集电级 电流
集电级 电流
集电级 电源 消耗 (t
C
=25˚c)
接合面 温度
存储 温度
1:发射级
2:集电级
3:根基
mt2 类型 包装
2.5
±
0.1
4.5
±
0.114.5
±
0.5
2.5
±
0.5 2.5
±
0.5
2.5
±
0.1
6.9
±
0.1
1.05
±
0.05 (1.45)
4.00.7 0.8
0.15
0.5
0.21.01.0
0.65 最大值
0.45
+0.1
–0.05
0.45
+0.1
–0.05
321
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
*
T
j
T
stg
比率
–80
–80
–5
–1.5
–1
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
一个
一个
W
˚C
˚C
■
电的 特性
(ta=25˚c)
参数
集电级 截止 电流
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
向前 电流 转移 比率
集电级 至 发射级 饱和 电压
根基 至 发射级 饱和 电压
转变 频率
集电级 输出 电容
标识
I
CBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1
*1
h
FE2
V
ce(sat)
V
是(sat)
f
T
C
ob
情况
V
CB
= –40v, i
E
= 0
I
C
= –10
µ
一个, i
E
= 0
I
C
= –1ma, i
B
= 0
I
E
= –10
µ
一个, i
C
= 0
V
CE
= –2v, i
C
= –100ma
V
CE
= –2v, i
C
= –500ma
*2
I
C
= –500ma, i
B
= –50ma
*2
I
C
= –500ma, i
B
= –50ma
*2
V
CB
= –10v, i
E
= 50ma, f = 200mhz
V
CB
= –10v, i
E
= 0, f = 1mhz
最小值
–80
–80
–5
120
60
典型值
– 0.2
– 0.85
120
15
最大值
– 0.1
340
– 0.3
–1.2
30
单位
µ
一个
V
V
V
V
V
MHz
pF
*1
h
FE1
分级 分类
分级 R S
h
FE1
120 ~ 240 170 ~ 340
*
打印 电路 板: 铜 foil 范围 的 1cm
2
或者 更多, 和 这 板
厚度 的 1.7mm 为 这 集电级 portion
*2
脉冲波 度量
1.2
±
0.1
0.65
最大值
0.45
0.1
0.05
+
–
便条: 在 增加 至 这
含铅的 类型 显示 在
这 upper 图示, 这
类型 作 显示 在
这 更小的 图示 是
也 有.
(hw 类型)
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