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电源 晶体管
2SD2064
硅 npn 三倍 diffusion 平面 类型
用于 高 电源 放大
互补 至 2sb1371
■
特点
●
满意 foward 电流 转让 比率 h
铁
vs. 收集器 cur-
租金 我
c
特性
●
宽 面积 的 安全 操作 (aso)
●
高 过渡 频率 f
t
●
最佳 用于 这 输出 舞台 的 一个 hifi 音频 放大器
●
已满-空调组件 包装 哪个 可以 是 已安装 至 这 热量 水槽 与
一个 螺钉
■
绝对 最大值 额定值
(t
c
=25˚c)
参数
收集器 至 底座 电压
收集器 至 发射器 电压
发射器 至 底座 电压
峰值 收集器 电流
收集器 电流
收集器 电源
耗散
接合点 温度
存储 温度
符号
v
CBO
v
CEO
v
EBO
我
cp
我
c
p
c
t
j
t
stg
额定值
120
120
5
10
6
70
3
150
–55 至 +150
单位
v
v
v
一个
一个
w
˚C
˚C
■
电气 特性
(t
c
=25˚c)
参数
收集器 截止 电流
发射器 截止 电流
前进 电流 转让 比率
底座 至 发射器 电压
收集器 至 发射器 饱和度 电压
过渡 频率
收集器 输出 电容
符号
我
CBO
我
EBO
h
FE1
h
FE2
*
h
FE3
v
是
v
ce(sat)
f
t
c
ob
条件
v
cb
= 120v, 我
e?
= 0
v
eb
= 3v, 我
c
= 0
v
ce
= 5v, 我
c
= 20ma
v
ce
= 5v, 我
c
= 1a
v
ce
= 5v, 我
c
= 4a
v
ce
= 5v, 我
c
= 4a
我
c
= 4a, 我
B
= 0.4a
v
ce
= 5v, 我
c
= 0.5a, f = 1mhz
v
cb
= 10v, 我
e?
= 0, f = 1mhz
最小
20
60
20
典型值
20
80
最大值
50
50
200
1.8
2.0
单位
µ
一个
µ
一个
v
v
MHz
pf
*
h
FE2
等级 分类
等级 q s p
h
FE2
60 至 120 80 至 160 100 至 200
t
c
=25
°
c
Ta=25
°
c
单位: mm
1:底座
2:收集器
3:发射器
top–3 已满 空调组件 包装(一个)
15.0
±
0.3
21.0
±
0.516.2
±
0.5
12.5
焊料 倾角
3.5 0.715.0
±
0.2
5.0
±
0.2
11.0
±
0.2
10.9
±
0.5
5.45
±
0.3
321
1.1
±
0.1
2.0
±
0.2
0.6
±
0.2
2.0
±
0.1
φ
3.2
±
0.1
3.2
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