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资料编号:1084092
 
资料名称:2SC2209
 
文件大小: 75028K
   
说明
 
介绍:
Power Transistors
 
 


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电源 晶体管
1
2SC22092SC2209
2SC22092SC2209
2SC2209
硅 npn 外延的 planar 类型
为 低-频率 电源 放大器
complementary 至 2sa0963 (2sa963)
特性
大 集电级 电源 消耗 p
C
输出 的 5 w 能 是 得到 用 一个 complementary 一双 和
2SA0963
绝对 最大 比率
T
C
=
25
°
C
1 : 发射级
2 : 集电级
3 : 根基
至-126a 包装
单位: mm
电的 特性
T
C
=
25
°
C
参数标识比率单位
集电级 至 根基 电压V
CBO
50V
集电级 至 发射级 电压V
CEO
40V
发射级 至 根基 电压V
EBO
5V
顶峰 集电级 电流I
CP
3A
集电级 电流I
C
1.5一个
集电级 电源 消耗 (t
C
= 25
°
c)
P
C
10W
接合面 温度T
j
150
°
C
存储 温度T
stg
55 至
+
150
°
C
参数标识情况最小值Typ毫安x单位
集电级 截止 电流I
CBO
V
CB
= 20 v,I
E
= 01
µ
一个
I
CEO
V
CE
= 10 v,I
B
=0100
µ
一个
发射级 截止 电流I
EBO
V
EB
= 5 v,I
C
= 010
µ
一个
集电级 至 根基 电压V
CBO
I
C
= 1 毫安,I
E
= 050V
集电级 至 发射级 电压V
CEO
I
C
= 2 毫安,I
B
= 040V
向前 电流 转移 比率
*
h
FE
V
CE
= 5 v,I
C
= 1 一个80220
集电级 至 发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
I
C
= 1.5 一个,I
B
= 150 毫安1V
根基 至 发射级 饱和 电压V
是(sat)
I
C
= 2 一个,I
B
= 0.2 一个1.5V
转变 频率f
T
V
CB
= 5 v,I
E
=
0.5 一个, f = 200 mhz150MHz
集电级 输出 电容C
ob
V
CB
= 5 v,I
E
= 0, f = 1 mhz50pF
分级QR
h
FE
80 至 160120 至 220
7.5
+0.5
–0.1
2.3
±0.2
1.9
±0.1
3.05
±0.1
3.8
±0.3
11.0
±0.5
16.0
±1.0
2.9
±0
.2
0.75
±0.1
0.5
±0.1
2.3
±0.2
4.6
±0.2
0.5
±0.1
1.26
±0.1
123
120
便条)
*
: 分级 分类
便条)the 部分 号码 在 这 parenthesis 显示 常规的 部分 号码.
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