电源 晶体管
1
2SB14162SB1416
2SB14162SB1416
2SB1416
硅 pnp 外延的 planar 类型
为 低-频率 电源 放大器
complementary 至 2sd2136
■
特性
•
高 向前 电流 转移 比率 h
FE
这个 有 satisfactory
线性
•
低 集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
•
准许 自动 嵌入 和 放射状的 taping
■
绝对 最大 比率
T
C
=
25
°
C
1 : 发射级
2 : 集电级
3 : 根基
mt-3 (mt3 类型 包装)
单位: mm
■
电的 特性
T
C
=
25
°
C
参数 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
−
60 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
−
60 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
−
5V
顶峰 集电级 电流 I
CP
−
5A
集电级 电流 I
C
−
3A
集电级 电源 消耗 P
C
1.5 W
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
stg
−
55 至
+
150
°
C
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截止 电流 I
CES
V
CE
=
−
60 v, v
是
= 0
−
200
µ
一个
I
CEO
V
CE
=
−
30 v, i
B
= 0
−
300
µ
一个
发射级 截止 电流 I
EBO
V
EB
=
−
5 v, i
C
= 0
−
1mA
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
I
C
=
−
30 毫安, i
B
= 0
−
60 V
向前 电流 转移 比率 h
FE1
*
V
CE
=
−
4 v, i
C
=
−
1 一个 40 250
h
FE2
V
CE
=
−
4 v, i
C
=
−
3 一个 10
集电级 至 发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
I
C
=
−
3 一个, i
B
=
−
0.375 一个
−
1.8 V
根基 至 发射级 饱和 电压 V
是(sat)
V
CE
=
−
4 v, i
C
=
−
3 一个
−
1.2 V
转变 频率 f
T
V
CB
=
−
5 v, i
E
= 0.1 一个, f = 200 mhz 270 MHz
转变-在 时间 t
在
I
C
=
−
1 一个, i
B1
=
−
0.1 一个, i
B2
= 0.1 一个 0.5
µ
s
存储 时间 t
stg
1.2
µ
s
下降 时间 t
f
0.3
µ
s
分级 P Q R
h
FE1
40 至 90 70 至 150 120 至 250
7.5
±0.2
0.65
±0.1
0.7
±0.1
1.15
±0.2
2.5
±0.2
2.5
±0.2
0.85
±0.1
1.0
±0.1
0.7
±0.1
1.15
±0.2
0.5
±0.1
1
0.8 c
23
0.4
±0.1
4.5
±0.2
0.8 c 0.8 c
3.8
±0.2
16.0
±1.0
10.8
±0.2
2.05
±0.2
90˚
2.5
±0.1
便条)
*
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