1
晶体管
2sd2067 (tentative)
硅 npn 外延 planer 类型
用于 低频 输出 放大
■
特点
●
darlington 连接.
●
高 foward 电流 转让 比率 h
铁
.
●
大型 峰值 收集器 电流 我
cp
.
●
高 收集器 至 发射器 电压 v
CEO
.
●
允许 供应 与 这 径向 录音.
■
绝对 最大值 额定值
(助教=25˚c)
单位: mm
参数
收集器 至 底座 电压
收集器 至 发射器 电压
发射器 至 底座 电压
峰值 收集器 电流
收集器 电流
收集器 电源 耗散
接合点 温度
存储 温度
1:发射器
2:收集器
3:底座
mt2 类型 包装
2.5
±
0.1
4.5
±
0.114.5
±
0.5
2.5
±
0.5 2.5
±
0.5
2.5
±
0.1
6.9
±
0.1
1.05
±
0.05 (1.45)
4.00.7 0.8
0.15
0.5
0.21.01.0
0.65 最大值
0.45
+0.1
–0.05
0.45
+0.1
–0.05
321
符号
v
CBO
v
CEO
v
EBO
我
cp
我
c
p
c
*
t
j
t
stg
额定值
120
100
5
3
2
1
150
–55 ~ +150
单位
v
v
v
一个
一个
w
˚C
˚C
■
电气 特性
(助教=25˚c)
参数
收集器 截止 电流
发射器 截止 电流
收集器 至 底座 电压
收集器 至 发射器 电压
发射器 至 底座 电压
前进 电流 转让 比率
收集器 至 发射器 饱和度 电压
底座 至 发射器 饱和度 电压
符号
我
CBO
我
EBO
v
CBO
v
CEO
v
EBO
h
铁
*1
v
ce(sat)
v
是(sat)
条件
v
cb
= 25v, 我
e?
= 0
v
eb
= 4v, 我
c
= 0
我
c
= 100
µ
一个, 我
e?
= 0
我
c
= 1ma, 我
B
= 0
我
e?
= 100
µ
一个, 我
c
= 0
v
ce
= 10v, 我
c
= 1a
*2
我
c
= 1a, 我
B
= 1ma
*2
我
c
= 1a, 我
B
= 1ma
*2
最小
120
100
5
4000
典型值 最大值
0.1
1
40000
1.5
2
单位
µ
一个
µ
一个
v
v
v
v
v
*1
h
铁
等级 分类
等级 q 右 s
h
铁
4000 ~ 10000 8000 ~ 20000 16000 ~ 40000
1.2
±
0.1
0.65
最大值
0.45
0.1
0.05
+
–
备注: 入点 加法 至 这
铅 类型 显示 入点
这 上部 图, 这
类型 作为 显示 入点
这 下部 图 是
也 可用.
(hw 类型)
*2
脉冲 测量
*
已打印 电路 板: 铜 箔 面积 的 1cm
2
或 更多, 和 这 板
厚度 的 1.7mm 用于 这 收集器 部分
内部 连接
B
c
e?
≈
200
Ω
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