1
晶体管
2SA0720A
(2sa720a)
硅 pnp 外延的 planer 类型
为 低-频率 驱动器 放大器
complementary 至 2sc1318a
■
特性
●
高 集电级 至 发射级 电压 v
CEO
.
●
最佳的 为 这 驱动器 平台 的 一个 低-频率 和 25 至 30w
输出 放大器.
■
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
单位: mm
参数
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
顶峰 集电级 电流
集电级 电流
集电级 电源 消耗
接合面 温度
存储 温度
1:发射级
2:集电级
3:根基
电子元件工业联合会:to–92
eiaj:sc–43a
5.0
±
0.2 4.0
±
0.2
5.1
±
0.213.5
±
0.5
0.45
+0.2
–0.1
0.45
+0.2
–0.1
1.27 1.27
2.3
±
0.2
2.54
±
0.15
213
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
比率
–80
–70
–5
–1
– 0.5
625
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
一个
一个
mW
˚C
˚C
■
电的 特性
(ta=25˚c)
参数
集电级 截止 电流
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
向前 电流 转移 比率
集电级 至 发射级 饱和 电压
根基 至 发射级 饱和 电压
转变 频率
集电级 输出 电容
标识
I
CBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1
*1
h
FE2
V
ce(sat)
V
是(sat)
f
T
C
ob
情况
V
CB
= –20v, i
E
= 0
I
C
= –10
µ
一个, i
E
= 0
I
C
= –2ma, i
B
= 0
I
E
= –10
µ
一个, i
C
= 0
V
CE
= –10v, i
C
= –150ma
*2
V
CE
= –10v, i
C
= –500ma
*2
I
C
= –300ma, i
B
= –30ma
*2
I
C
= –300ma, i
B
= –30ma
*2
V
CB
= –10v, i
E
= 50ma, f = 100mhz
V
CB
= –10v, i
E
= 0, f = 1mhz
最小值
–80
–70
–5
85
40
典型值
– 0.2
– 0.85
120
20
最大值
– 0.1
240
– 0.6
–1.5
30
单位
µ
一个
V
V
V
V
V
MHz
pF
*1
h
FE1
分级 分类
分级 Q R
h
FE1
85 ~ 170 120 ~ 240
*2
脉冲波 度量
便条.) 这 部分 号码 在 这 parenthesis 显示 常规的 部分 号码.
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