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晶体管
2sa1619, 2sa1619a
硅 pnp 外延的 planer 类型
为 低-频率 电源 放大器 和 驱动器 放大器
complementary 至 2sc4208 和 2sc4208a
■
特性
●
complementary 一双 和 2sc4208 和 2sc4208a.
●
准许 供应 和 这 放射状的 taping 和 自动 嵌入
可能.
■
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
参数
集电级 至
根基 电压
集电级 至
发射级 电压
发射级 至 根基 电压
顶峰 集电级 电流
集电级 电流
集电级 电源 消耗
接合面 温度
存储 温度
标识
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
比率
–30
–60
–25
–50
–5
–1
– 0.5
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
一个
一个
W
˚C
˚C
2SA1619
2SA1619A
2SA1619
2SA1619A
■
电的 特性
(ta=25˚c)
参数
集电级 截止 电流
集电级 至 根基
电压
集电级 至 发射级
电压
发射级 至 根基 电压
向前 电流 转移 比率
集电级 至 发射级 饱和 电压
根基 至 发射级 饱和 电压
转变 频率
集电级 输出 电容
标识
I
CBO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE1
*
h
FE2
V
ce(sat)
V
是(sat)
f
T
C
ob
情况
V
CB
= –20v, i
E
= 0
I
C
= –10
µ
一个, i
E
= 0
I
C
= –10ma, i
B
= 0
I
E
= –10
µ
一个, i
C
= 0
V
CE
= –10v, i
C
= –150ma
V
CE
= –10v, i
C
= –500ma
I
C
= –300ma, i
B
= –30ma
I
C
= –300ma, i
B
= –30ma
V
CB
= –10v, i
E
= 50ma, f = 200mhz
V
CB
= –10v, i
E
= 0, f = 1mhz
最小值
–30
–60
–25
–50
–5
85
40
典型值
160
– 0.35
–1.1
200
6
最大值
– 0.1
340
– 0.6
–1.5
15
单位
µ
一个
V
V
V
V
V
MHz
pF
*
h
FE1
分级 分类
分级 Q R S
h
FE1
85 ~ 170 120 ~ 240 170 ~ 340
单位: mm
1:发射级
2:集电级
3:根基
to–92nl 包装
5.0
±
0.2
13.5
±
0.5
0.7
±
0.2
8.0
±
0.2
1.27
123
1.27
4.0
±
0.2
0.45
+0.15
–0.1
0.45
+0.15
–0.1
2.3
±
0.2
0.7
±
0.1
2.54
±
0.15
2SA1619
2SA1619A
2SA1619
2SA1619A
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