首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:1084275
 
资料名称:2SC2206
 
文件大小: 65076K
   
说明
 
介绍:
Transistor
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号2SC2206的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号2SC2206的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号2SC2206的Datasheet PDF文件第4页
4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
晶体管
2SC2206
硅 npn 外延的 planer 类型
为 高-频率 放大器
complementary 至 2sa1254
特性
最佳的 为 rf 放大器 的 fm/am 收音机.
高 转变 频率 f
T
.
m 类型 包装 准许 容易 自动 和 手工的 嵌入 作
好 作 保卫-alone fixing 至 这 打印 电路 板.
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
单位: mm
参数
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
集电级 电流
集电级 电源 消耗
存储 温度
1:根基
2:集电级 eiaj:sc–71
3:发射级 m 类型 模型 包装
6.9
±
0.1
0.55
±
0.1 0.45
±
0.05
1.0
±
0.1
1.0
2.5
±
0.1
1.0
1.5
1.5 r0.9
r0.9
r0.7
0.4
0.85
3.5
±
0.1
2.0
±
0.2
2.4
±
0.21.25
±
0.05
4.1
±
0.2 4.5
±
0.1
2.5 2.5
123
标识
V
CBO
V
CEO
C
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
比率
30
20
5
30
400
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
毫安
mW
˚C
˚C
电的 特性
(ta=25˚c)
参数
集电级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 电压
发射级 至 根基 电压
集电级 至 发射级 饱和 电压
根基 至 发射级 电压
噪音 图示
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE
*
V
ce(sat)
V
f
T
NF
C
re
Z
rb
情况
I
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0
I
C
= 1ma, i
B
I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0
V
CB
= 10v, i
E
= –1ma
I
C
B
V
CE
= 10v, i
C
= 1ma
V
CB
= 10v, i
E
= –1ma, f = 200mhz
V
CB
= 10v, i
E
V
CE
C
= 1ma, f = 10.7mhz
V
CB
= 10v, i
E
5
70
150
典型值
0.1
0.7
300
2.8
最大值
220
4
1.5
50
单位
V
V
V
V
V
MHz
dB
pF
*
h
FE
分级 分类
分级 B C
h
FE
70 ~ 140 110 ~ 220
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com