电源 晶体管
1
2SC55842SC5584
2SC55842SC5584
2SC5584
硅 npn triple diffusion mesa 类型
为 horizontal deflection 输出
■
特性
•
高 损坏 电压, 和 高 可靠性 通过 这 使用 的 一个
glass passivation layer
•
高-速 切换
•
宽 范围 的 safe 运作 (aso)
■
绝对 最大 比率
T
C
=
25
°
C
单位: mm
■
电的 特性
T
C
=
25
°
C
参数 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
1 500 V
集电级 至 发射级 电压 V
CES
1 500 V
V
CEO
600 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
7V
顶峰 集电级 电流 I
CP
30 一个
集电级 电流 I
C
20 一个
根基 电流 I
B
8A
集电级 电源
T
C
= 25
°
CP
C
150 W
消耗
T
一个
= 25
°
C 3.5
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
stg
−
55 至
+
150
°
C
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截止 电流 I
CBO
V
CB
= 1 000 v, i
E
= 0 50
µ
一个
V
CB
= 1 500 v, i
E
= 0 1 毫安
发射级 截止 电流 I
EBO
V
EB
= 7 v, i
C
= 0 50
µ
一个
向前 电流 转移 比率 h
FE
V
CE
= 5 v, i
C
= 10 一个 7 14
集电级 至 发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
I
C
= 10 一个, i
B
= 2.5 一个 3 V
根基 至 发射级 饱和 电压 V
是(sat)
I
C
= 10 一个, i
B
= 2.5 一个 1.5 V
转变 频率 f
T
V
CE
= 10 v, i
C
= 0.1 一个, f = 0.5 mhz 3 MHz
存储 时间 t
stg
I
C
= 10 一个, 阻抗 承载 2.7
µ
s
下降 时间 t
f
I
B1
= 2.5 一个, i
B2
=
−
5.0 一个 0.2
µ
s
标记 标识: c5584
C
B
E
内部的 连接
20.0
±0.5
2.0
±0.3
3.0
±0.3
1.0
±0.2
5.45
±0.3
10.9
±0.5
123
26.0
±0.5
(10.0)
(2.5)
焊盘 插件
(6.0)
(4.0)
(2.0)
(1.5)
(1.5)
20.0
±0.5
5.0
±0.3
φ
3.3
±0.2
(1.5)
2.7
±0.3
0.6
±0.2
(3.0)
(3.0)
(2.0)
1 : 根基
2 : 集电级
3 : 发射级
顶-3l 包装
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