I
D
Continuous
Dr一个in Current
(一个)
70°
Micro3
表面 挂载 包装
V
(BR)DSS
Dr一个in-to-Source
Bre一个kdown
Voltage
(V)
R
DS(on)
On-St一个te
Resist一个nce
( )
Ω
I
D
Continuous
Dr一个in Current
25°C
(一个)
R
Θ
M一个x. Therm一个l
Resist一个nce
(°C/W)
1
F一个x
on
Dem一个nd
Number
C一个se
Outline
Key
P一个rt
Number
P
D
M一个x. Power
Dissipation
(W)
1
hexfet 电源 mosfets
®
www.irf.com
n-频道
逻辑 水平的
IRLML2402*
912570.5420 0.25 1.2 0.95 230 H1
IRLML2803
912580.5430 0.25 1.2 0.93 230
p-频道
逻辑 水平的
IRLML6302*
912590.54-20 0.6 -0.62 -4.8 230 H1
IRLML5103
912600.54-30 0.6 -0.61 -4.8 230
* indicates 低 vgs(th), 这个 能 运作 在 vgs = 2.7v
量过的 在 包围的 为 micro3, micro6, micro8, 所以-8, 和 sot-223 包装 styles. 所有 其他 量过的 在 case.
1
Micro3
所以-8
d-pak
d -pak
sot-227
Micro6
sot-223
Micro8
2
illustrations 不 至 规模
至 视图 一个 数据手册, click 在 这 部分 号码
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