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资料编号:1086368
 
资料名称:IR2113E6
 
文件大小: 129681K
   
说明
 
介绍:
HIGH AND LOW SIDE DRIVER
 
 


: 点此下载
 
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
特点
浮动 频道 设计 用于 引导程序 操作
完全 运营 至 +600v
宽容 至 负 瞬态 电压
设计验证/dt 免疫
闸门 驱动器 供应 范围 从 10 至 20v
欠压 上锁 用于 两者都有 频道
分开 逻辑 供应 范围 从 5 至 20v
逻辑 和 电源 接地 ±5v 偏移量
cmos 施密特触发 输入 与 下拉
循环 由 循环 边沿触发 停机 逻辑
匹配 传播 延迟 用于 两者都有 频道
产出 入点 相位 与 输入
IR2113E6
高 和 低 侧面 驾驶员
产品 摘要
v
偏移量
+/- 2a / 2a
v
出点
10 - 20v
t
开关
(典型值.) 120 &放大器; 94 ns
延迟 匹配 10 ns
描述
这 ir2113e6 是 一个 高 电压, 高 速度 电源 场效应晶体管
和 igbt 驾驶员 与 独立 高 和 低 侧面 参考-
已围封 输出 频道. 专有 hvic 和 门闩 免疫
cmos 技术 启用 加固 单片 施工-
操作. 逻辑 输入 是 兼容 与 标准 cmos 或
lsttl 产出. 这 输出 驱动程序 功能 一个 高 脉冲
电流 缓冲区 舞台 设计 用于 最小值 驾驶员 十字形-con-
诱导. 传播 延误 是 匹配 至 简化 使用 入点
高 频率 应用程序. 这 浮动 频道 可以 是
已使用 至 驱动器 一个 n通道 电源 场效应晶体管 或 igbt 入点 这
高 侧面 配置 哪个 操作 向上 至 600 伏特.
符号 参数 最小值 最大值 单位
v
B
高 侧面 浮动 供应 绝对 电压 -0.5 v
s
+ 20
v
s
高 侧面 浮动 供应 偏移量 电压 600
v
ho
高 侧面 输出 电压 v
s
-0.5 v
B
+ 0.5
v
抄送
低 侧面 固定 供应 电压 -0.5 20
v
lo
低 侧面 输出 电压 -0.5 v
抄送
+ 0.5
v
dd
逻辑 供应 电压 -0.5 v
ss
+ 20
v
ss
逻辑 供应 偏移量 电压 v
抄送
- 20 v
抄送
+ 0.5
v
入点
逻辑 输入 电压 (hin, lin &放大器; sd) v
ss
- 0.5 v
dd
+ 0.5
设计验证
s
/dt 允许 偏移量 供应 电压 瞬态 (无花果. 16) 50 v/ns
p
d
包装 电源 耗散 @ t
一个
= 25°c (无花果. 19) 1.6 w
thja
热 电阻, 接合点 至 环境 125 °c/w
t
j
接合点 温度 -55 125
t
s
存储 温度 -55 150
t
l
包装 安装 表面 温度 300 (用于 5 秒)
重量
0.45 (典型) g
v
°C
绝对 最大值 额定值
绝对 最大值 额定值 指示 持续 限制 超越 哪个 损伤 至 这 设备 将 发生. 全部
电压 参数 是 绝对 电压 引用 至 com. 这 热 电阻 和 电源 dissi-
pation 额定值 是 已测量 下 板 已安装 和 仍然 空气 条件. 附加 信息 是 显示
入点 数字 28 通过 35.
4/13/99
www.irf.com 1
pd - 91882
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