绝对 最大 比率
参数 单位
I
D
@ v
GS
= 10v, t
C
= 25°c 持续的 流 电流 27.4
I
D
@ v
GS
= 10v, t
C
= 100°c 持续的 流电流 17
I
DM
搏动 流 电流
➀
110
P
D
@ t
C
= 25°c 最大值电源消耗 150 W
直线的 减额 因素 1.2
w/°c
V
GS
门-至-源 电压 ±20 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
➁
500 mJ
I
AR
avalanche 电流
➀
27.4 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
➀
15.0 mJ
dv/dt Peak 二极管 恢复 dv/dt
➂
5.0
v/ns
T
J
运行接合面 -55 至 150
T
STG
存储 温度 范围
含铅的 温度
300 ( 0.063 在.(1.6mm) 从 情况 为 10s)
重量 9.3 (典型) g
pd - 90554e
HEXFET
®
场效应晶体管 技术 是 这 关键 至 国际的
整流器’s 先进的 线条 的 电源 场效应晶体管 晶体管. 这
效率高的 geometry 设计 achieves 非常 低 在-状态 re-
sistance 联合的 和 高 跨导.
HEXFET
晶体管 也 特性 所有 的 这 好-established advan-
tages 的 mosfets, 此类 作 电压 控制, 非常 快 转变-
ing, 使容易 的 paralleling 和 电的 参数 温度
稳固. 它们 是 好-suited 为 产品 此类 作 转变-
ing 电源 供应, 发动机 控制, 反相器, choppers,
音频的 放大器, 高 活力 脉冲波 电路, 和 virtually
任何 应用 在哪里 高 可靠性 是 必需的. 这
HEXFET
晶体管’s totally 分开的 包装 排除 这
需要 为 额外的 isolating 材料 在 这 设备
和 这 散热器. 这个 改进 热的 效率 和
减少 流 电容.
o
C
一个
电源 场效应晶体管
thru-孔 (至-254aa)
1/9/01
www.irf.com 1
至-254aa
产品 summary
部分 号码 r
ds(在)
I
D
irfm250 0.100
Ω
27.4a
特性:
简单的 驱动 (所需的)东西
使容易 的 paralleling
hermetically sealed
用电气 分开的
动态 dv/dt 比率
明亮的-重量
为 footnotes 谈及 至 这 last 页
IRFM250
JANTX2N7225
JANTXV2N7225
ref:mil-prf-19500/592
200v, n-频道
HEXFET
®
场效应晶体管 技术
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