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资料编号:1086621
 
资料名称:IRFP460AS
 
文件大小: 118524K
   
说明
 
介绍:
HEXFET? Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
www.irf.com 1
01/17/01
IRFP460AS
smps 场效应晶体管
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
V
DSS
rds(在) 最大值 I
D
500V 0.27
20A
典型 smps topologies:

全部 桥

pfc boost
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 20
I
D
@ t
C
= 100
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 13 一个
I
DM
搏动 流 电流
80
P
D
@T
C
= 25
°
直线的 减额 因素 2.2 w/
°
C
V
GS
门-至-源 电压 ± 30 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
3.8 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围
°
C
挂载 torqe, 6-32 或者 m3 screw 10 lbf
在 (1.1n
m)
绝对 最大 比率
注释
通过
是 在 页 8
smd-247
动态 dv/dt 比率
repetitive avalanche 评估
分开的 central 挂载 孔
快 切换
使容易 的 paralleling
简单的 驱动 (所需的)东西
焊盘 镀有 和 leadformed 为 表面 挂载
描述
第三 一代 hexfet
®
s 从 国际的 整流器 提供 这
设计者 和 这 最好的 结合体 的 快 切换, 加固
设备 设计, 低 在-阻抗 和 费用-成效.
这 至-247 包装 是 preferred 为 商业的-工业的
产品 在哪里 高等级的 电源 水平 preclude 这 使用 的 至-220
设备. 这 至-247 是 类似的 但是 更好的 至 这 早期 至-218
包装 因为 的 它的 分开的 挂载 孔. 它 也 提供
更好 creepage 距离 在 管脚 至 满足 这 (所需的)东西 的
大多数 安全 规格.
这个 镀有 和 leadformed 版本 的 这 至-247 包装 准许
这 包装 至 是 表面 挂载 在 一个 应用.
最大 软熔焊接 温度 230 (时间 在之上 183
°
C
应当 不 超过 100s)
°
C
益处
产品
smps, ups, welding 和 高 速
电源 切换
pd-94011a
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