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资料编号:1086624
 
资料名称:IRFP460P
 
文件大小: 179012K
   
说明
 
介绍:
HEXFET? Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRFP460P
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
第三 一代 hexfet
®
s 从 国际的 整流器
提供 这 设计者 和 这 最好的 结合体 的 快
切换, 加固 设备 设计, 低 在-阻抗
和 费用-成效.
这 至-247 包装 是 preferred 为 商业的-工业的
产品 在哪里 高等级的 电源 水平 preclude 这 使用
的 至-220 设备. 这 至-247 是 类似的 但是 更好的 至
挂载 孔. 它 也 提供 更好 creepage 距离
在 管脚 至 满足 这 (所需的)东西 的 大多数 安全
规格.
这 焊盘 镀有 版本 的 这 至-247 准许 这 软熔焊接
焊接 的 这 包装 散热器 至 一个 基质 材料.
S
D
G
V
DSS
= 500v
R
ds(在)
= 0.27
I
D
= 20a
动态 dv/dt 比率
repetitive avalanche 评估
分开的 central 挂载 孔
快 切换
使容易 的 paralleling
描述
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 20
I
D
@ t
C
= 100
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 13 一个
I
DM
搏动 流 电流
80
P
D
@T
C
= 25
°
C 电源 消耗 280 W
直线的 减额 因素 2.2 w/
°
C
V
GS
门-至-源 电压 ± 20 V
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力
960 mJ
I
AR
avalanche 电流

20 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
28 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
3.5 v/ns
T
J
运行接合面 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°
C
挂载 torque, 6-32 或者 m3 srew 10 lbf
在 (1.1n
m)
绝对 最大 比率
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况
–––
0.45
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.24
––– °
c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的
–––
40
热的 阻抗
01/17/01
www.irf.com 1
简单的 驱动 (所需的)东西
焊盘 镀有 为 reflowing
最大 软熔焊接 温度 230 (时间 在之上 183
°
C
should 不 超过 100s)
°
C
至-247ac
pd-93946a
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