irfr/u3303
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
v
DSS
= 30v
右
ds(开启)
= 0.031
Ω
我
d
= 33a
8/25/97
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 ––– 2.2
右
θ
ja
交叉点到环境 (pcb 安装)** ––– 50 °c/w
右
θ
ja
交叉点到环境 ––– 110
热 电阻
d-pak
至-252aa
我-pak
至-251aa
超 低 导通电阻
表面 安装 (irfr3303)
直线 铅 (irfu3033)
高级 流程 技术
快 开关
完全 雪崩 额定
描述
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 33
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 21
一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
120
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 57 w
线性 降额 因素 0.45 w/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 20 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
95 mJ
我
ar
雪崩 电流
18 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
5.7 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
5.0 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 150
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°C
绝对 最大值 额定值
第五 世代 hexfets 从 国际 整流器
利用 高级 加工 技术 至 实现
极其 低 导通电阻 按 硅 面积. 这个 效益,
合并 与 这 快 开关 速度 和 加固
设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 井
已知 用于, 提供 这 设计师 与 一个 极其 高效
和 可靠 设备 用于 使用 入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这 d-pak 是 设计 用于 表面 安装 使用 蒸气
相位, 红外线, 或 波浪 焊接 技术. 这 直线
铅 版本 (irfu 系列) 是 用于 通孔 安装
应用程序. 电源 耗散 级别 向上 至 1.5 瓦特 是
可能 入点 典型 表面 安装 应用程序.
s
d
g
pd - 9.1642a
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