irfr/u5305
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
第五 世代 hexfets 从 国际 整流器 利用
高级 加工 技术 至 实现 极其 低
导通电阻 按 硅 面积. 这个 效益, 合并 与
这 快 开关 速度 和 加固 设备 设计 那
HEXFET
®
电源 mosfets 是 井 已知 用于, 提供
这 设计师 与 一个 极其 高效 和 可靠 设备
用于 使用 入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这 d-pak 是 设计 用于 表面 安装 使用 蒸气
相位, 红外线, 或 波浪 焊接 技术. 这 直线
铅 版本 (irfu 系列) 是 用于 通孔 安装
应用程序. 电源 耗散 级别 向上 至 1.5 瓦特 是
可能 入点 典型 表面 安装 应用程序.
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -10v -31
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -10v -22 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
-110
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 110 w
线性 降额 因素 0.71 w/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ± 20 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
280 mj
我
ar
雪崩 电流
-16 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
11 mj
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
-5.0 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300(1.6mm从案例)
°C
安装 扭矩, 6-32 或 m3 srew 10lbf•in (1.1n•m)
绝对 最大值 额定值
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 ––– 1.4
右
θ
ja
交叉点到环境 (pcb 安装)* ––– 50 °c/w
右
θ
ja
接合点-至-ambient** ––– 110
热 电阻
v
DSS
= -55v
右
ds(开启)
= 0.065
Ω
我
d
= -31a
超 低 导通电阻
表面 安装 (irfr5305)
直线 铅 (irfu5305)
高级 流程 技术
快 开关
完全 雪崩 额定
描述
10/23/00
s
d
g
d-pak 我-pak
irfr5305 irfu5305
pd - 91402a
: 点此下载
