irfr/u5505
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
V
DSS
= -55v
R
ds(在)
= 0.11
Ω
I
D
= -18a
8/25/97
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 2.2
R
θ
JA
接合面-至-包围的 (pcb 挂载)** ––– 50 °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ––– 110
热的 阻抗
D-pak
至-252aa
i-pak
至-251aa
过激 低 在-阻抗
p-频道
表面 挂载 (irfr5505)
笔直地 含铅的 (irfu5505)
先进的 处理 技术
快 切换
全部地 avalanche 评估
描述
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -10v -18
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ -10v -11 一个
I
DM
搏动 流 电流
-64
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 57 W
直线的 减额 因素 0.45 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 20 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
150 mJ
I
AR
avalanche 电流
-9.6 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
5.7 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
-5.0 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况 )
°C
绝对 最大 比率
fifth 一代 hexfets 从 国际的 整流器
utilize 先进的 处理 技巧 至 达到
极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. 这个 益处,
联合的 和 这 快 切换 速 和 加固
设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 好
知道 为, 提供 这 设计者 和 一个 极其 效率高的
和 可依靠的 设备 为 使用 在 一个 宽 多样性 的 产品.
这 d-pak 是 设计 为 表面 挂载 使用 vapor
阶段, infrared, 或者 波 焊接 技巧. 这 笔直地
含铅的 版本 (irfu 序列) 是 为 通过-孔 挂载
产品. 电源 消耗 水平 向上 至 1.5 watts 是
可能 在 典型 表面 挂载 产品.
S
D
G
pd - 9.1610b
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