IRFP460LC
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 9.1232
修订 0
v
DSS
= 500v
右
ds(开启)
= 0.27
Ω
我
d
= 20a
超 低 闸门 费用
减少 闸门 驱动器 要求
增强型 30v v
gs
评级
减少 c
国际空间站
, c
开放源码软件
, c
rss
隔离 中央 安装 孔
动态 设计验证/dt 额定
重复性 雪崩 额定
绝对 最大值 额定值
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 20
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 12 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流 80
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 280 w
线性 降额 因素 2.2 w/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ±30 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源 960 mJ
我
ar
雪崩 电流 20 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源 28 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt 3.5 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 150
t
stg
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例)
安装 扭矩, 6-32 或 m3 螺钉. 10 lbf•in (1.1n•m)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 –––– –––– 0.45
右
θ
cs
案例-至-水槽, 扁平, 润滑 表面 –––– 0.24 –––– °c/w
右
θ
ja
交叉点到环境 –––– –––– 40
热 电阻
描述
这个 新建 系列 的 低 费用 hexfet 电源 mosfets 实现 显著
下部 闸门 费用 结束 常规 mosfets. 利用 高级 hexfet
技术 这 设备 改进 允许 用于 减少 闸门 驱动器 要求,
更快 开关 速度 和 增加 合计 系统 储蓄. 这些 设备
改进 合并 与 这 经过验证 坚固耐用 和 可靠性 的 hexfets
报价 这 设计师 一个 新建 标准 入点 电源 晶体管 用于 开关 应用程序.
这 至-247 包装 是 首选 用于 商业-工业 应用程序 在哪里
较高 电源 级别 排除 这 使用 的 至-220 设备. 这 至-247 是 类似
但是 上级 至 这 较早 至-218 包装 因为 的 其 隔离 安装 孔.
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