IRFP460LC
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 9.1232
修订 0
V
DSS
= 500v
R
ds(在)
= 0.27
Ω
I
D
= 20a
过激 低 门 承担
减少 门 驱动 必要条件
增强 30v v
gs
比率
减少 c
iss
, c
oss
, c
rss
分开的 central 挂载 孔
动态 dv/dt 评估
repetitive avalanche 评估
绝对 最大 比率
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 20
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v 12 一个
I
DM
搏动 流 电流 80
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 280 W
直线的 减额 因素 2.2 w/°c
V
GS
门-至-源 电压 ±30 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力 960 mJ
I
AR
avalanche 电流 20 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力 28 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt 3.5 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 150
T
STG
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况)
挂载 torque, 6-32 或者 m3 screw. 10 lbf•in (1.1n•m)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 –––– –––– 0.45
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 –––– 0.24 –––– °c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的 –––– –––– 40
热的 阻抗
描述
这个 新 序列 的 低 承担 hexfet 电源 mosfets 达到 significantly
更小的 门 承担 在 常规的 mosfets. utilizing 先进的 hexfet
技术 这 设备 改进 准许 为 减少 门 驱动 (所需的)东西,
faster 切换 speeds 和 增加 总的 系统 savings. 这些 设备
改进 联合的 和 这 proven 强壮 和 可靠性 的 hexfets
提供 这 设计者 一个 新 标准 在 电源 晶体管 为 切换 产品.
这 至-247 包装 是 preferred 为 商业的-工业的 产品 在哪里
高等级的 电源 水平 preclude 这 使用 的 至-220 设备. 这 至-247 是 类似的
但是 更好的 至 这 早期 至-218 包装 因为 的 它的 分开的 挂载 孔.
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