HEXFET
®
电源 场效应晶体管
fifth 一代 hexfet
®
电源 mosfets 从
国际的 整流器 utilize 先进的 处理
技巧 至 达到 极其 低 在-阻抗 每
硅 范围. 这个 益处, 联合的 和 这 快 切换
速 和 加固 设备 设计 那 hexfet 电源
mosfets 是 好 知道 为, 提供 这 设计者 和
一个 极其 效率高的 和 可依靠的 设备 为 使用 在 一个 宽
多样性 的 产品.
这 d
2
pak 是 一个 表面 挂载 电源 包装 有能力 的
accommodating 消逝 sizes 向上 至 十六进制-4. 它 提供 这
最高的 电源 能力 和 这 最低 可能 在-
阻抗 在 任何 存在 表面 挂载 包装. 这
D
2
pak 是 合适的 为 高 电流 产品 因为 的
它的 低 内部的 连接 阻抗 和 能 dissipate
向上 至 2.0w 在 一个 典型 表面 挂载 应用.
这 通过-孔 版本 (irl1004l) 是 有 为 低-
profile 应用.
S
D
G
V
DSS
= 40v
R
ds(在)
= 0.0065
Ω
I
D
= 130a
先进的 处理 技术
过激 低 在-阻抗
动态 dv/dt 比率
175°c 运行 温度
快 切换
全部地 avalanche 评估
描述
12/29/99
www.irf.com 1
IRL1004S
IRL1004L
D
2
Pak
IRL1004S
至-262
IRL1004L
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况 ––– 0.75
R
θ
JA
接合面-至-包围的 ( pcb 挂载,稳步的-状态)* ––– 40
热的 阻抗
°c/w
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
130
I
D
@ t
C
= 100°c 持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
92
一个
I
DM
搏动 流 电流
520
P
D
@T
一个
= 25°c 电源 消耗 3.8 W
P
D
@T
C
= 25°c 电源 消耗 200 W
直线的 减额 因素 1.3 w/°c
V
GS
门-至-源电压 ± 16 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
700 mJ
I
AR
avalanche 电流
78 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
20 mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
5.0 v/ns
T
J
运行 接合面 和 -55 至 + 175
T
STG
存储 温度 范围
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况)
°C
绝对 最大 比率
逻辑-水平的 门 驱动
pd - 91644a
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