bulk128d-b
高 电压 快-切换
npn 电源 晶体管
■
意法半导体 preferred
SALESTYPE
■
整体的 antiparallel
集电级-发射级 二极管
■
npn 晶体管
■
高 电压 能力
■
低 展开 的 动态 参数
■
最小 lot-至-lot 展开 为
可依靠的 运作
■
非常 高 切换 速
产品:
■
电子的 ballasts 为
fluorescent lighting
■
flyback 和 向前 单独的
晶体管 低 电源 转换器
描述
这 设备 是 制造的 使用 高 电压
multi 外延的 planar 技术 为 高
切换 speeds 和 中等 电压 能力.
它 使用 一个 cellular 发射级 结构 和 planar
边缘 末端 至 增强 切换 speeds
当 维持 这 宽 rbsoa.
这 设备 是 设计 为 使用 在 lighting
产品 和 低 费用 转变-模式 电源
供应.
内部的 图式 图解
8月 2001
绝对 最大 比率
标识 参数 值 单位
V
CES
集电级-发射级 电压 (v
是
= 0) 700 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 (i
B
= 0) 400 V
V
EBO
发射级-根基 电压
(i
C
= 0, i
B
= 2 一个, t
p
< 10
µ
s, t
j
< 150
o
c)
BV
EBO
V
I
C
集电级 电流 4 一个
I
CM
集电级 顶峰 电流 (t
p
< 5 ms) 8 一个
I
B
根基 电流 2 一个
I
BM
根基 顶峰 电流 (t
p
< 5 ms) 4 一个
P
tot
总的 消耗 在 t
c
= 25
o
C55W
T
stg
存储 温度 -65 至 150
o
C
T
j
最大值 运行 接合面 温度 150
o
C
1
2
3
sot-82
®
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