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资料编号:1093648
 
资料名称:AM1214-250
 
文件大小: 34249K
   
说明
 
介绍:
RF POWER TRANSISTORS L-BAND RADAR APPLICATIONS
 
 


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目标 数据
july 2000
am1214-250
rf 电源 晶体管
l-带宽 radar 产品
refractory /金 敷金属
发射级 站点 ballasting
低 rf 热的 阻抗
输入/输出 相一致
overlay geometry
metal/陶瓷的 密封的 包装
P
输出
= 300 w 最小值 和 8.0 db 增益
1215-1400 mhz 运作
描述
这 am1214-250 是 一个 坚毅的, 类 c 一般
根基 设备 设计 为 新 l - 带宽 中等 &放大;
长 脉冲波 radar 产品.
minimal 振幅 droop 在 一个 长 脉冲波 的 500
porating 一个 overlay 站点-ballasted 消逝 geometry.
管脚 连接
1
3
42
1. 集电级
2. 根基
3. 发射级
4. 根基
M259
hermetically sealed
顺序 代号
am1214-250
BRANDING
xam1214-250
绝对 最大 比率 (t
情况
= 25
°
c)
标识 参数 单位
P
DISS
电源 消耗 (t
C
85
°
c)*
786 W
I
C
设备 current* 21 一个
V
CBO
集电级-根基 电压 70 V
T
j
运行 接合面 温度 +250
°
C
T
STG
存储 温度 -65 至 +200
°
C
热的 数据
R
th(j-c)
接合面 -情况 热的 resistance* 0.21
°
c/w
* 应用 仅有的 至 评估 rf 放大器 运作: 150 microsec / 10%
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