ds05-11407-3e
富士通 半导体
数据s他et
记忆
CMOS
2
×
××
×
512 k
×
××
×
16 有点 / 2
×
××
×
256 k
×
××
×
32 有点
单独 数据 费率 我/f fcram
tm
消费者
/
嵌入式 应用程序 具体 记忆 用于 sip
mb81es171625/173225-12/-15
■
描述
这 富士通 mb81es171625/173225 是 一个 快 循环 随机 访问权限 记忆 (fcram*) 包含 16,777,216
有点 记忆 细胞 无障碍 入点 一个 2
×
512K
×
16 有点 / 2
×
256K
×
32 有点 格式. 这 mb81es171625/173225 特点 一个
完全 同步 操作 引用 至 一个 正 边缘 时钟 相同 作为 那 的 sdram 操作, 由此 全部
运营 是 已同步 在 一个 时钟 输入 哪个 启用 高 业绩 和 简单 用户 接口 coexist-
ence.
这 mb81es171625/173225 是 已利用 使用 一个 富士通 高级 fcram 核心 技术 和 设计 用于 低
电源 消费 和 低 电压 操作 比 常规 同步 dram (sdram).
这 mb81es171625/173225 是 专用 用于 sip (系统 入点 一个 包装), 和 理想情况下 适合 用于 各种 嵌入式/
消费者 应用程序 包括 数字 avs, 和 图像 加工 在哪里 一个 大型 乐队 宽度 和 低 电源
消费 记忆 是 需要.
* : fcram 是 一个 商标 的 富士通 有限, 日本.
■
产品 阵容
参数
mb81es171625/173225
-12 -15
时钟 频率 (最大值) 85 mhz 66.7 mhz
突发 模式 循环 时间 (最小)
cl
=
1 23.4 ns 30 ns
cl
=
2 11.7 ns 15 ns
访问权限 时间 从 时钟 (最大值)
cl
=
1 21.9 ns 27 ns
cl
=
2 10.2 ns 12 ns
xras 循环 时间 (最小) 75 ns 75 ns
操作 电流 (最大值) (我
DD1
) 30 ma 30 ma
电源 向下 模式 电流 (最大值) (我
DD2P
) 1 ma 1 ma
自刷新 电流 (最大值) (我
DD6
) 5 ma 5 ma
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