富士通 半导体
新建 产品
8月, 2003
1/1
np05-11411-2e
64mbit sdr 我/f fcram
tm
consumer/e?m层状 一个应用 具体 memory 用于 sip
mb81es653225-12/-12l
(现在 发展)
■
特点
•
1m 字词
×
32 比特
×
2 银行 组织机构
•
低 电源 供应 (v
dd
= v
DDQ
= 1.8 v ± 0.15 v)
•
1.8 v cmos 我/o 接口
•
8k 刷新 循环次数 每 32 ms
•
自动- 和 自我- 刷新
•
2 银行 操作
•
可编程 突发 类型, 突发 长度, 和 cas 延迟
•
突发 阅读/写 操作 和 突发 阅读/单独 写 操作 能力
•
可编程 第页 长度
•
可编程 部分 阵列 自我 刷新 (pasr)
•
可编程 温度 已补偿 自我 刷新 (tcsr)
•
深 电源 向下 模式
•
扩展 温度 操作 mb81es653225-12 : 0
°
c 至 85
°
c
mb81es653225-12l :
−
25
°
c 至 85
°
c
•
cke 电源 向下 模式
•
字节 控制 能力 由 数据 面具 (dqm)
•
fcram 禁用 功能 用于 测试一下
•
fcram 自我 预烧 功能 用于 测试一下
•
fcram bist (已建成 入点 自我 测试一下) 功能 用于 测试一下
■
产品 选项
零件 号码 MB81ES653225
速度 版本
12 12l
cl= 2
54 mhz
时钟 频率 (最大值)
cl= 3
85 mhz
cl= 2
18.5 ns
突发 模式 循环 时间 (最小)
cl= 3
11.7 ns
cl= 2
12 ns
访问权限 时间 从 时钟 (最大值)
cl= 3
8.7 ns
: 点此下载
