ds06-20208-1e
fujitsu 半导体
数据SHEET
Semicustom
CMOS
标准 cell 排列
cs91 序列
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描述
这 cs91 序列 0.11
µ
m cmos 标准 cell 是 一个 线条 的 高级地 整体的 cmos asics featuring 高 速
和 低 电源 消耗量. 这个 序列 包含 向上 至 48 million 门 这个 有 一个 门 延迟 时间 的 16
ps, 结果 在 两个都 integration 和 速 关于 三 时间 高等级的 比 常规的 产品.
■
特性
• 技术 : 0.11
µ
m 硅-门 cmos, 5- 至 8-layer 线路 (copper 是 使用 作 线 material.) ,
低-k (2.7) inter-layer 材料 (inter-layer 材料 那 有 低 permittivity)
• 支持 为 高 速, 高 integration, 低 leak 内部的 cell 设置. 有能力 的 包含 在 这 一样 碎片.
• 供应 电压 :
+
1.2 v
±
0.1 v (标准 规格)
• 接合面 温度 范围 :
−
40
°
c 至
+
125
°
C
• 门 延迟 时间 : t
pd
=
16 ps (1.2 v, 反相器, f/o
=
1)
• 门 电源 消耗量 : pd
=
6.6 nw/mhz/bc (1.2 v, inverter, f/o
=
1)
• 支持 为 过激 高 速 (622 mbps 至 780 mbps, 2.5 gbps 至 3.125 gbps, 10 gbps) 接口 macros 为
传递
• 特定的 接口 : p-cml, lvds, pci, sstl-2, gtl, tlvttl, 和 others. )
• 缓存区 cell 专心致志的 至 结晶 振荡器
• ip macros : cpu (arm9, arm7tdmi) , dsp, pci, ieee1394, usb, irda, pll, adc, dac, 和 others.
• compiled cells (内存/只读存储器/乘法器, 和 其他.)
• 硬件/软件 co-设计 环境
• 短的-期 开发 使用 一个 定时 驱动 布局 tool
• hierarchical 设计 环境 为 支承的 大-规模 电路
• 支持 为 信号 integrity, emi 噪音 减少
• 支持 为 高 决议 rc extraction 根基 延迟 计算 环境
• 支持 为 optimization 环境 的 电源 供应 线
(持续)
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