半导体 组件 industries, llc, 2002
8月, 2003 − rev. 3
1
发行 顺序 号码:
bas21slt1/d
BAS21SLT1
preferred 设备
双 序列 高 电压
切换 二极管
•
潮气 敏锐的 水平的: 1
•
静电释放 比率 − 人 身体 模型: 类 1
静电释放 比率− 机器 模型: 类 b
最大 比率
比率 标识 值 单位
持续的 反转 电压 V
R
250 Vdc
顶峰 向前 电流 I
F
225 mAdc
顶峰 向前 surge 电流 I
fm(surge)
625 mAdc
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr− 5 板
(便条 1)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
225
1.8
mW
mw/
°
C
热的 阻抗,
接合面 至 包围的
R
JA
556
°
c/w
总的 设备 消耗
alumina 基质, (便条 2no tag)
T
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
300
2.4
mW
mw/
°
C
热的 阻抗,
接合面 至 包围的
R
JA
417
°
c/w
接合面 和 存储
温度 范围
T
J
, t
stg
−55 至
+150
°
C
1. FR−5 = 1.0
0.75
0.062 在.
2. alumina = 0.4
0.3
0.024 在. 99.5% alumina.
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
反转 电压 泄漏 电流
(v
R
= 200 vdc)
(v
R
= 200 vdc, t
J
= 150
°
c)
I
R
−
−
0.1
100
模数转换器
反转 损坏 电压
(i
BR
= 100
模数转换器)
V
(br)
250 − Vdc
向前 电压
(i
F
= 100 madc)
(i
F
= 200 madc)
V
F
−
−
1000
1250
mV
二极管 电容
(v
R
= 0, f = 1.0 mhz)
C
D
− 5.0 pF
反转 恢复 时间
(i
F
= i
R
= 30 madc, r
L
= 100
)
t
rr
− 50 ns
设备 包装 Shipping
订货 信息
SOT−23
情况 318
样式 11
BAS21SLT1 SOT−23 3000/录音带 &放大; 卷轴
标记 图解
jt m
JT = 设备 代号
M = 日期 代号
1
2
3
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
3
cathode/anode
ANODE
1
CATHODE
2
http://onsemi.com
: 点此下载
