IRFR2905Z
IRFU2905Z
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
v
DSS
= 55v
右
ds(开启)
= 14.5m
Ω
我
d
= 42a
www.irf.com 1
汽车 场效应晶体管
pd - 95811
具体而言 设计 用于 汽车 应用程序, 这个 hexfet
®
电源 场效应晶体管 利用 这 最新 加工 技术 至
实现 极其 低 导通电阻 按 硅 面积. 附加
特点 的 这个 设计 是 一个 175°c 接合点 操作 蛋彩画-
真实, 快 开关 速度 和 改进 重复性 雪崩
评级 . 这些 特点 联合收割机 至 制造 这个 设计 一个 极其
高效 和 可靠 设备 用于 使用 入点 汽车 应用程序 和
一个 宽 品种 的 其他 应用程序.
s
d
g
描述
●
高级 流程 技术
●
超 低 导通电阻
●
175°c 操作 温度
●
快 开关
●
重复性 雪崩 允许 向上 至 tjmax
特点
d-pak
IRFR2905Z
我-pak
IRFU2905Z
HEXFET
®
是 一个 已注册 商标 的 国际 整流器.
绝对 最大值 额定值
参数 单位
我
d
@ t
c
= 25°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
(硅 有限)
我
d
@ t
c
= 100°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
一个
我
d
@ t
c
= 25°c
连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
(包装 有限)
我
dm
pulsed d右心房我nc电流
p
d
@T
c
= 25°c
电源 耗散 w
线性 降额 因素 w/°c
v
gs
栅极到源极 电压 v
e?
作为 (热 有限)
singlepulseAvalanche?e?nergy
d
mJ
e?
作为
(已测试 )
singlepulseAvalanche?e?nergytested value
h
我
ar
一个valanche?c电流
Ã
一个
e?
ar
右epetitive一个valanche?e?nergy
g
mJ
t
j
操作 接合点 和
t
stg
存储 温度 范围 °C
焊接 温度, 用于 10 秒
安装 扭矩, 6-32 或 m3 螺钉
热 电阻
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
junct离子-至-案例
j
––– 1.38
右
θ
ja
junct离子-至-上午比恩特(pcb安装)
ij
––– 40 °c/w
右
θ
ja
junct离子-至-上午比恩特
j
––– 110
82
55
请参见 无花果.12a, 12b, 15, 16
110
0.72
± 20
最大值
59
42
240
42
-55 至 + 175
300 (1.6mm 从 案例 )
10 lbf
y
入点 (1.1n
y
m)
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