©2000 仙童 半导体 国际 rev. 一个, 二月 2000
KSC5027
npn 硅 晶体管
绝对 最大值 额定值
t
c
=25
°
c 除非 否则 已注明
电气 特性
t
c
=25
°
c
除非 否则 已注明
h
铁
分类
符号 参数 值 单位
v
CBO
收集器-底座 电压 1100 v
v
CEO
集电极-发射极 电压 800 v
v
EBO
发射器-底座 电压 7 v
我
c
收集器 电流 (直流) 3 一个
我
cp
收集器 电流 (脉冲) 10 一个
我
B
底座 电流 1.5 一个
p
c
收集器 耗散 ( t
c
=25
°
c) 50 w
t
j
接合点 温度 150
°
c
t
stg
存储 温度 - 55 ~ 150
°
c
符号 参数 测试一下 条件 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CBO
收集器-底座 击穿 电压 我
c
= 1ma, 我
e?
= 0 1100 v
BV
CEO
集电极-发射极 击穿 电压 我
c
= 5ma, 右
是
=
∞
800 v
BV
EBO
发射器-底座 击穿 电压 我
e?
= 1ma, 我
c
= 0 7 v
v
CEX
(sus) 集电极-发射极 维持 电压 我
c
= 1.5a, 我
B1
= -我
B2
= 0.3a
l = 2mh, 夹紧
800 v
我
CBO
收集器 截止 电流 v
cb
= 800v, 我
e?
= 0 10
µ
一个
我
EBO
发射器 截止 电流 v
eb
= 5v, 我
c
= 0 10
µ
一个
h
FE1
h
FE2
直流 电流 增益 v
ce
= 5v, 我
c
= 0.2a
v
ce
= 5v, 我
c
= 1a
10
8
40
v
ce
(sat) 集电极-发射极 饱和度 电压 我
c
= 1.5a, 我
B
= 0.3a 2 v
v
是
(sat) 基极-发射极 饱和度 电压 我
c
= 1.5a, 我
B
= 0.3a 1.5 v
c
ob
输出 电容 v
cb
= 10v, 我
e?
= 0, f = 1mhz 60 pf
f
t
电流 增益 带宽 产品 v
ce
= 10v, 我
c
= 0.2a 15 MHz
t
开启
转弯
开启 时间 v
抄送
= 400v
我
c
= 5i
B1
= -2.5i
B2
= 2a
右
l
= 200
Ω
0.5
µ
s
t
stg
存储 时间 3
µ
s
t
f
坠落 时间 0.3
µ
s
分类 n 右 o
h
FE1
10 ~ 20 15 ~ 30 20 ~ 40
KSC5027
高 电压 和 高 可靠性
• 高 速度 开关
•wide soa
1.底座 2.收集器 3.发射器
1
至-220
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