硅 mosfets (小 信号)
发行 日期: january
2006
SJF
00051
AED
1
2SK4029
硅 n-频道 场效应晶体管
为 切换 电路
特性
高-速 切换
低 在 阻抗 r
在
包含 一个 建造-在 门 保护-二极管
绝对 最大 比率
T
一个
=
25
°
C
参数 标识 比率 单位
流-源 surrender 电压
V
DSS
25
V
门-源 surrender 电压
V
GSS
±
12
V
流 电流
I
D
1
.
0
一个
顶峰 流 电流
I
DP
2
.
0
一个
电源 消耗
P
D
500
mW
频道 温度
T
ch
125
°
C
存储 温度
T
stg
–
55
至 +
125
°
C
电的 特性
T
一个
=
25
°
C
±
3
°
C
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 surrender 电压
V
DSS
I
D
=
1
毫安, v
GS
=
0 25
V
流-源 截止 电流
I
DSS
V
DS
=
20
v, v
GS
=
0 1
.
0
µ
一个
门-源 截止 电流
I
GSS
V
GS
=
±
8
v, v
DS
=
0
±
10
µ
一个
门 门槛 电压
V
TH
I
D
=
1
毫安, v
DS
=
10
V
0
.
4 0
.
9 1
.
4
V
流-源 在 阻抗
R
ds(在)
I
D
=
0
.
5
一个, v
GS
=
4
.
0
V
260 420
m
Ω
I
D
=
0
.
25
一个, v
GS
=
2
.
5
V
350 550
向前 转移 admittance
Y
fs
I
D
=
500
毫安, v
DS
=
10
V
1
.
8
S
短的-电路 向前 转移 电容
(一般 源)
C
iss
V
DS
=
10
v, v
GS
=
0
, f =
1
MHz
65
pF
短的-电路 输出 电容
(一般 源)
C
oss
35
pF
反转 转移 电容
(一般 源)
C
rss
13
pF
转变-在 时间
*
t
在
V
DD
=
10
v, v
GS
=
0
v 至
4
v, i
D
=
0
.
5
一个
8
ns
转变-止 时间
*
t
止
V
DD
=
10
v, v
GS
=
4
v 至
0
v, i
D
=
0
.
5
一个
30
ns
便条)
1
.测量 方法 是 为基础 在 japanese 工业的 标准 jis c
7030
测量 方法 为 晶体管.
2
.
*
: t
在
, t
止
度量 电路
标记 标识:
5
Z
°
°
这个 产品 遵守 和 这 rohs directive (eu 2002/95/ec).
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