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电源 mosfets
1
发行 日期: march 2004 SJG00038AED
2SK3731
n-频道 增强 模式 场效应晶体管
■
特性
•
低 在-阻抗, 低 q
g
•
高 avalanche 阻抗
■
产品
•
为 pdp
•
为 高-速 切换
■
绝对 最大 比率
T
C
=
25
°
C
■
电的 特性
T
C
=
25
°
C
±
3
°
C
单位: mm
参数 标识 比率 单位
流-源 surrender 电压 V
DSS
230 V
门-源 surrender 电压 V
GSS
±
30 V
流 电流 I
D
20 一个
顶峰 流 电流 I
DP
80 一个
avalanche 活力 能力
*
EAS 668 mJ
电源 消耗 P
D
50 W
T
一个
=
25
°
C 1.4
频道 温度 T
ch
150
°
C
存储 温度 T
stg
−
55 至
+
150
°
C
0 至 0.5
123
(8.9)
(10.2)
0 至 0.3
(2.1) (6.4) (1.4)
10.5
±
0.3
4.6
±
0.2
1.4
±
0.1
0.8
±
0.1
2.5
±
0.2
1.4
±
0.1
2.54
±
0.3
10.1
±
0.3
3.0
±
0.5
(1.4)
1.5
±
0.3
0.6
±
0.1
1: 门
2: 流
3: 源
至-220c-g1 包装
便条)
*
: l
=
2.79 mh, i
L
=
20 一个, v
DD
=
50 v, 1 脉冲波, t
一个
=
25°C
标记 标识: k3731
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 surrender 电压 V
DSS
I
D
=
1 毫安, v
GS
=
0 230 V
门 门槛 电压 V
th
V
DS
=
10 v, i
D
=
1 毫安 2.0 4.0 V
流-源 截止 电流 I
DSS
V
DS
=
184 v, v
GS
=
010
µ
一个
门-源 截止 电流 I
GSS
V
GS
=
±
30 v, v
DS
=
0
±
1
µ
一个
流-源 在 阻抗 R
ds(在)
V
GS
=
10 v, i
D
=
10 一个 65 82 m
Ω
向前 转移 admittance

Y
fs

V
DS
=
10 v, i
D
=
10 一个 7 14 S
短的-电路 向前 转移 电容
C
iss
V
DS
=
25 v, v
GS
=
0, f
=
1 mhz 2
360 pF
(一般-源)
短的-电路 输出 电容 C
oss
394 pF
(一般-源)
反转 转移 电容 C
rss
49 pF
(一般-源)
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V
DD
≈
100 v, i
D
=
10 一个 31 ns
上升 时间 T
r
R
L
=
10
Ω
, v
GS
=
10 v 27 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
214 ns
下降 时间 t
f
47 ns
这个 产品 遵守 和 这 rohs directive (eu 2002/95/ec).

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电源 mosfets 1 发行日期: march 2004 SJG00038AED 2SK3731 n-频道增强模式场效应晶体管 ■ 特性 • 低在-阻抗, 低 q g • 高 avalanche 阻抗 ■ 产品 • 为 pdp • 为高-速切换 ■ 绝对最大比率 T C = 25 ° C ■ 电的特性 T C = 25 ° C ± 3 ° C 单位: mm 参数标识比率单位流-源 surrender 电压 V DSS 230 V 门-源 surrender 电压 V GSS ± 30 V 流电流 I D 20 一个顶峰流电流 I DP 80 一个 avalanche 活力能力 * EAS 668 mJ 电源消耗 P D 50 W T 一个 = 25 ° C 1.4 频道温度 T ch 150 ° C 存储温度 T stg − 55 至 + 150 ° C 0 至 0.5 123 (8.9) (10.2) 0 至 0.3 (2.1) (6.4) (1.4) 10.5 ± 0.3 4.6 ± 0.2 1.4 ± 0.1 0.8 ± 0.1 2.5 ± 0.2 1.4 ± 0.1 2.54 ± 0.3 10.1 ± 0.3 3.0 ± 0.5 (1.4) 1.5 ± 0.3 0.6 ± 0.1 1: 门 2: 流 3: 源至-220c-g1 包装便条) * : l = 2.79 mh, i L = 20 一个, v DD = 50 v, 1 脉冲波, t 一个 = 25°C 标记标识: k3731 参数标识情况最小值典型值最大值单位流-源 surrender 电压 V DSS I D = 1 毫安, v GS = 0 230 V 门门槛电压 V th V DS = 10 v, i D = 1 毫安 2.0 4.0 V 流-源截止电流 I DSS V DS = 184 v, v GS = 010 µ 一个门-源截止电流 I GSS V GS = ± 30 v, v DS = 0 ± 1 µ 一个流-源在阻抗 R ds(在) V GS = 10 v, i D = 10 一个 65 82 m Ω 向前转移 admittance  Y fs  V DS = 10 v, i D = 10 一个 7 14 S 短的-电路向前转移电容 C iss V DS = 25 v, v GS = 0, f = 1 mhz 2 360 pF (一般-源) 短的-电路输出电容 C oss 394 pF (一般-源) 反转转移电容 C rss 49 pF (一般-源) 转变-在延迟时间 t d(在) V DD ≈ 100 v, i D = 10 一个 31 ns 上升时间 T r R L = 10 Ω , v GS = 10 v 27 ns 转变-止延迟时间 t d(止) 214 ns 下降时间 t f 47 ns 这个产品遵守和这 rohs directive (eu 2002/95/ec).

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