2sc5585 / 2sc5663
晶体管
rev.b 1/2
低 频率 晶体管 (12v, 0.5a)
2sc5585 / 2sc5663
这 晶体管 的 500ma 类 这个 went 仅有的 在 2125 大小conventionally 是 attained 在 1608 sizes 或者 1208 sizes.
z
产品
为 切换
为 噪声抑制
z
特性
1) 高 电流.
2) 低 v
ce(sat)
.
V
ce(sat)
≤
250mv 在 i
C
= 200ma / i
B
= 10ma
z
外部 维度
(单位 : mm)
rohm : emt3
eiaj : sc-75a
电子元件工业联合会 : sot-416
2SC5585
abbreviated 标识 : bx
abbreviated 标识 : bxrohm : vmt3
2SC5663
(1) 根基
(2) 发射级
(3) 集电级
(1) 发射级
(2) 根基
(3) 集电级
0.7
0.15
0.1min.
0.55
0~0.1
0.2
1.6
1.6
1.0
0.3
0.8
(
2
)
0.5 0.5
(
3
)
0.2
(
1
)
0~0.1
(3)
0.32
0.8
1.2
0.13
0.5
0.22
0.4 0.4
1.2
0.80.2
0.15max.
0.2
(
2
)
(
1
)
z
绝对 最大 比率
(ta=25
°
c)
参数
collectot-根基 电压
集电级-发射级 电压
集电级 电流
集电级 电源 消耗
接合面 温度
存储 温度
V
CBO
V
CEO
I
C
P
C
Tj
Tstg
15 V
V
毫安
mW
°
C
°
C
12
发射级-根基 电压 V
EBO
V6
500
I
CP
A1
∗
150
150
−
55 至 +150
标识 限制 单位
∗
单独的 脉冲波 pw = 1ms
z
电的 特性
(ta=25
°
c)
参数
集电级-根基 损坏 电压
collectoe-发射级 brakdown 电压
发射级-根基 损坏 电压
集电级 截止 电流
直流 电流 转移 比率
集电级-发射级 饱和 电压
转变 频率
输出 电容
标识
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
h
FE
V
CE
(sat)
Cob
最小值
15
12
6
−
270
−
−
−
−
−
−
−
90
7.5
−
−
−
100
680
250
−
VI
C
= 10
µ
一个
I
C
= 1ma
I
E
= 10
µ
一个
V
CB
= 15v
V
CE
= 2v, i
C
= 10ma
I
C
= 200ma, i
B
= 10ma
V
CB
= 10v, i
E
= 0a, f = 1mhz
V
V
nA
发射级 截止 电流 I
EBO
−−
100 V
CB
= 6vna
−
mV
f
T
−
320
−
V
CE
= 2v, i
E
=
−
10ma, f = 100mhzmhz
pF
典型值 最大值 单位 情况
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