kbu8a - kbu8m
kbu8a-kbu8m, rev.
C
2001 仙童 半导体 公司
kbu8a - kbu8m
桥 整流器
绝对 最大 ratings*
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
特性
•
高 surge 电流 能力.
•
可依靠的 构建 技巧.
•
完美的 为 打印 电路 板.
标识 参数 设备 单位
V
F
向前 电压, 每 桥 @ 8.0 一个 1.0 V
I
R
反转 电流, 总的 桥 @ 评估 v
R
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 100
°
C
10
500
µ
一个
µ
一个
标识
参数
值
单位
P
D
电源 消耗 6.9 W
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 包围的,* 每 leg 18
°
c/w
R
θ
JL
热的 阻抗, 接合面 至 含铅的,* 每 leg 3.0
°
c/w
*
这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
KBU
+
~
~
-
标识
参数
值
单位
8a 8b 8d 8g 8j 8k 8m
V
RRM
最大 repetitive 反转 电压 50 100 200 400 600 800 1000 V
V
RMS
最大 rms 桥 输入 电压 35 70 140 280 420 560 700 V
V
R
直流 反转 电压 (评估 v
R
) 50 100 200 400 600 800 1000 V
I
f(av)
平均 调整的 向前 电流, @ t
一个
= 50°c 8.0 一个
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前 surge 电流 300 一个
T
stg
存储 温度 范围 -55 至 +150
°
C
T
J
运行 接合面 温度 -55 至 +150
°
C
热的 特性
*
设备 挂载 在 pcb 和 0.375 " (9.5 mm) 含铅的 长度 和 0.5 x 0.5" (13 x 13 mm) 铜 pads.
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